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1. (WO2001088954) METHOD OF AND APPARATUS FOR MAKING ELECTRICAL CONTACT TO WAFER SURFACE FOR FULL-FACE ELECTROPLATING OR ELECTROPOLISHING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/088954    International Application No.:    PCT/US2001/012578
Publication Date: 22.11.2001 International Filing Date: 18.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    11.12.2001    
IPC:
C25D 7/12 (2006.01), C25F 7/00 (2006.01)
Applicants: NU TOOL INC. [US/US]; 1645 McCandless Drive Milpitas, CA 95035 (US)
Inventors: ASHJAEE, Jalal; (US).
NAGORSKI, Boguslaw, A.; (US).
BASOL, Bulent, M.; (US).
TALIEH, Homayoun; (US).
UZOH, Cyprian; (US)
Agent: DIEFENDORF, Richard, R.; Crowell & Moring LLP. Intellectual Property Group P.O. Box 14300 Washington, DC 20044-4300 (US)
Priority Data:
60/203,944 12.05.2000 US
09/735,546 14.12.2000 US
Title (EN) METHOD OF AND APPARATUS FOR MAKING ELECTRICAL CONTACT TO WAFER SURFACE FOR FULL-FACE ELECTROPLATING OR ELECTROPOLISHING
(FR) PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT D'EFFECTUER UN CONTACT ELECTRIQUE A LA SURFACE D'UNE PLAQUETTE POUR UNE ELECTRODEPOSITION OU UN POLISSAGE ELECTROLYTIQUE SUR TOUTE LA SURFACE DE CETTE PLAQUETTE
Abstract: front page image
(EN)Deposition of conductive material on or removal of conductive material from a wafer (16) frontal side (22) of a semiconductor wafer (16) is performed by providing an anode (9) having an anode (9) area which is to face the wafer (16) frontal side (22), and electrically connecting (9d) the wafer (16) frontal side (22) with at least one electrical contact (9d), outside of the anode area, by pushing the electrical contact (9d) and the wafer (16) is moved with respect to the anode (9) and the electrical contact (9d). Full-face electroplating or electropolishing over the wafer frontal side (22) surface, in its entirety, is thus permitted.
(FR)La déposition d'un matériau conductible sur un côté frontal d'une plaquette de semiconducteur ou le retrait de ce matériau conductible de ce côté frontal d'une plaquette de semiconducteur sont effectués par la formation d'une anode possédant une zone anode qui fait face au côté frontal de la plaquette, et par la connexion électrique de ce côté frontal de la plaquette avec au moins un contact électrique, en dehors de la zone anode, le contact électrique et le côté frontal de la plaquette étant poussés à proximité l'un de l'autre. Une tension est appliquée entre l'anode et le contact électrique, et la plaquette est déplacée en fonction de l'anode et du contact électrique. Ainsi l'électrodéposition ou le polissage électrolytique sur toute la surface est possible sur la surface du côté frontal de la plaquette, dans son intégralité.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)