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1. (WO2001088949) HIGH EFFICIENCY SCANNING IN ION IMPLANTERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/088949    International Application No.:    PCT/US2001/015658
Publication Date: 22.11.2001 International Filing Date: 15.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    19.11.2001    
IPC:
H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road Gloucester, MA 01930 (US)
Inventors: BERRIAN, Donald, W.; (US)
Agent: MCCLELLAN, William, R.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210 (US)
Priority Data:
60/204,285 15.05.2000 US
Title (EN) HIGH EFFICIENCY SCANNING IN ION IMPLANTERS
(FR) BALAYAGE DE GRANDE EFFICACITÉ POUR IMPLANTEURS D'IONS
Abstract: front page image
(EN)Ion implantation apparatus includes an ion beam generator for generating an ion beam, a scanner for scanning the ion beam across a workpiece in a first direction, a mechanical translator for translating the workpiece in a second direction so that the ion beam is distributed over the workpiece, and a controller for controlling the translation velocity and beam scan width to limit the time that the ion beam is off the workpiece. In the case of a semiconductor wafer, the translation velocity in the beam scan width are controlled to produce an approximately circular scan pattern.
(FR)Cette invention concerne un dispositif d'implantation d'ions comprenant un générateur de faisceau ionique, un scanner qui balaye le faisceau ionique au travers d'une pièce selon une première direction, un translateur assurant la translation de la pièce dans une seconde direction de sorte que le faisceau ionique est réparti sur la pièce, et une unité de commande qui détermine la vitesse de translation et la largeur de balayage afin de réduire la durée pendant laquelle le faisceau ne se trouve pas sur la pièce. Dans le cas d'une tranche de semi-conducteur, la vitesse de translation et la largeur de balayage du faisceau sont réglées de manière à produire un schéma de balayage circulaire.
Designated States: CN, IL, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)