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1. (WO2001088926) METHOD PF PROCESSING A WRITE COMMAND
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/088926    International Application No.:    PCT/IB2001/000862
Publication Date: 22.11.2001 International Filing Date: 17.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    27.11.2001    
IPC:
G11C 16/10 (2006.01), G11C 16/16 (2006.01)
Applicants: SCHLUMBERGER SYSTEMES [FR/FR]; 50, avenue Jean Jaurès, F-92120 Montrouge (FR) (For All Designated States Except US).
MENNECART, José [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: MENNECART, José; (FR)
Agent: SCHLUMBERGER SYSTEMES; c/o Den Braber, Gérard, 50 avenue Jean Jaurès, B.P. 620-12, F-92542 Montrouge Cedex (FR)
Common
Representative:
SCHLUMBERGER SYSTEMES; c/o Den Braber, Gérard, 50 avenue Jean Jaurès, B.P. 620-12, F-92542 Montrouge Cedex (FR)
Priority Data:
00/06277 17.05.2000 FR
Title (EN) METHOD PF PROCESSING A WRITE COMMAND
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT D'UNE COMMANDE ECRITURE
Abstract: front page image
(EN)A write command comprises a definition of a memory zone (ZN) followed by data to be stored in that memory zone. Such a write command may be, for example, a write command in accordance with ISO 7816 standard relating to smart cards. The write command is processed in the following manner. In a receiving step (F4), the data is written into a buffer memory (RAM). In an erasure step (F3), the memory zone (ZN) defined by the write command is erased while the data is written into the buffer memory (RAM). Thus, the receiving step (F4) and the erasure step (F3) are, at least partially, effected in parallel. In a transfer step (F7), the data is transferred from the buffer memory (RAM) to the memory zone (ZN) defined by the write command.
(FR)Selon l'invention, une commande écriture comprend une définition de zone mémoire (ZN) suivie d'une mise en mémoire de données à stocker dans cette zone. Une telle commande écriture peut être, par exemple, une commande écriture selon la norme ISO 7816 se rapportant aux cartes à puce. La commande écriture est traitée comme suit. Dans une étape de réception (F4), les donnée sont écrites dans une mémoire tampon (RAM). La zone mémoire (ZN) définie par la commande écriture est effacée, dans une étape (F3), alors que les données sont écrites dans la mémoire tampon. Les étapes de réception (F4) et d'effacement (F3) sont donc, au moins partiellement, réalisées en parallèle. Dans une étape de transfert (F7), les données sont transférées de la mémoire tampon (RAM) à la zone mémoire (ZN) définie par la commande écriture.
Designated States: CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)