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1. (WO2001087505) SUPERCRITICAL FLUID CLEANING PROCESS FOR PRECISION SURFACES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/087505    International Application No.:    PCT/US2001/015999
Publication Date: 22.11.2001 International Filing Date: 18.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    12.12.2001    
IPC:
B01J 3/00 (2006.01), B08B 7/00 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: S. C. FLUIDS, INC. [US/US]; 472 Amherst Street, Suite 18, Nashua, NH 03063 (US)
Inventors: MORITZ, Heiko; (US).
BOYD, James; (US).
MOUNT, David; (US).
CHANDRA, Mohan; (US).
COSTANTINI, Michael; (US).
JAFRI, Ijaz; (US).
HEATHWAITE, Rick; (US)
Agent: MAINE, Vernon; Maine & Asmus, PO Box 3445, Nashua, NH 03061-3445 (US)
Priority Data:
60/205,335 18.05.2000 US
09/632,770 04.08.2000 US
09/665,932 20.09.2000 US
60/267,916 09.02.2001 US
09/837,507 18.04.2001 US
60/147,251 05.08.1999 US (Priority Withdrawn 06.08.2001)
60/155,454 20.09.1999 US (Priority Withdrawn 06.08.2001)
Title (EN) SUPERCRITICAL FLUID CLEANING PROCESS FOR PRECISION SURFACES
(FR) PROCEDE DE NETTOYAGE A FLUIDE SUPERCRITIQUE DE SURFACES DE PRECISION
Abstract: front page image
(EN)A dry process for the cleaning of precision surfaces of semiconductor wafers by using process materials such as carbon dioxide and useful additives such as cosolvents and surfactants, where the process materials are applied exclusively in gaseous and supercritical states. Soak and agitation steps are applied to the wafer, including a rapid decompression of the process chamber (10) after a soak period at higher supercritical pressure, to mechanically weaken, break up the polymers and other materials sought to be removed, combined with a supercritical fluid flush to carry away the loose debris.
(FR)L'invention concerne un procédé pour nettoyer à sec des surfaces de précision d'une tranche à semi-conducteurs, à l'aide de matériaux de traitement tels que le dioxyde de carbone, et des additifs utiles tels que des cosolvants ou des tensioactifs, lesdits matériaux de traitement étant appliqués exclusivement à l'état gazeux ou supercritique. La tranche est soumise à des étapes de trempage et d'agitation incluant une décompression rapide de la chambre de traitement (10) au bout d'une période de trempage à une pression supercritique plus élevée. Cette procédure est mise en oeuvre pour affaiblir mécaniquement et désagréger les polymères et autres matériaux, et s'accompagne d'un lavage à fluide supercritique destiné à évacuer les débris épars.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)