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1. (WO2001086732) LOW AREA METAL CONTACTS FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/086732    International Application No.:    PCT/AU2001/000515
Publication Date: 15.11.2001 International Filing Date: 04.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    09.11.2001    
IPC:
H01L 21/285 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: UNISEARCH LTD. [AU/AU]; Rupert Myers Building, Level 2 Gate 14, Barker Street, NSW 2052 (AU) (For All Designated States Except US).
WENHAM, Stuart, Ross [AU/AU]; (AU) (For US Only).
KOSCHIER, Linda, Mary [AU/US]; (AU) (For US Only)
Inventors: WENHAM, Stuart, Ross; (AU).
KOSCHIER, Linda, Mary; (AU)
Agent: F B RICE & CO; 605 Darling Street, Balmain, NSW 2041 (AU)
Priority Data:
PQ7344 05.05.2000 AU
PQ9637 27.08.2000 AU
Title (EN) LOW AREA METAL CONTACTS FOR PHOTOVOLTAIC DEVICES
(FR) CONTACTS METALLIQUES A PETITE SURFACE DE CONTACT, DESTINES A DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES
Abstract: front page image
(EN)In a method for forming a contact on semiconductor surface, a crystalline silicon surface is first oxidized, following which an aluminium layer is deposited onto the oxide layer. A layer of amorphous silicon is then deposited onto the aluminium layer. The structure is then heated to a temperature below the aluminium/silicon eutectic temperature to locally reduce the oxide layer in regions where the quality/density of the oxide layer is lower. Simultaneously, the amorphous silicon penetrates into the aluminium layer, in which it has a high mobility. With continued heating, the aluminium penetrates completely through the oxide layer in localized regions, exposing the crystalline silicon surface. The exposed silicon surface provides a sight for nucleating epitaxial growth, which occurs rapidly as silicon within the aluminium continuously feeds the solid phase epitaxial growth process. The rapid epitaxial growth facilitates the formation of a new crystalline silicon layer that occupies the original space where the oxide layer was grown. The epitaxially grown silicon provides a bridge between the original p-type silicon surface and the metal layer and is itself doped p-type such that the metal is in electrical contact with the original silicon surface via the epitaxially grown silicon in the localized regions where the oxide layer was reduced.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un contact sur une surface de semi-conducteur, comprenant les étapes suivantes consistant: à oxyder d'abord une surface de silicium cristallin, à déposer une couche d'aluminium sur la couche d'oxyde, à déposer une couche de silicium amorphe sur la couche d'aluminium, puis à chauffer la structure pour la porter à une température inférieure à la température eutectique de l'aluminium/silicium, de manière à réduire localement la couche d'oxyde dans des régions dans lesquelles la qualité/densité de cette couche est moindre, le silicium amorphe pénétrant simultanément dans la couche d'aluminium dans laquelle il possède une grande mobilité. Sous l'effet d'un chauffage continu, l'aluminium pénètre complètement à travers la couche d'oxyde dans des régions localisées, exposant la surface de silicium cristallin. Cette surface de silicium exposée constitue un point de croissance épitaxiale par nucléation, laquelle croissance se produit rapidement étant donné que le silicium contenu dans l'aluminium alimente en continu le processus de croissance épitaxiale de la phase solide. Cette croissance épitaxiale rapide facilite la formation d'une nouvelle couche de silicium cristallin, laquelle occupe l'espace original où s'était produite la croissance de la couche d'oxyde. Le silicium à croissance épitaxiale forme un pont entre la surface de silicium originale de type P et la couche métallique, et il est lui-même du type P dopé, de sorte que le métal est en contact électrique avec la surface de silicium originale, par le biais du silicium à croissance épitaxiale, dans les régions localisées où la couche d'oxyde a été réduite.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)