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1. (WO2001086712) HYDROGEN IMPLANT FOR BUFFER ZONE OF PUNCH-THROUGH NON EPI IGBT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/086712    International Application No.:    PCT/US2001/013322
Publication Date: 15.11.2001 International Filing Date: 25.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    13.11.2001    
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/32 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION [US/US]; 233 Kansas Street El Segundo, CA 90245 (US)
Inventors: FRANCIS, Richard; (US).
NG, Chiu; (US)
Agent: WEINER, Samuel, H.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP 1180 Avenue of the Americas New York, NY 10036 (US).
SCHEER, Michael, J.; Ostrolenk, Faber, Gerb & Soffen, LLP 1180 Avenue of the Americas New York, NY 10036 (US)
Priority Data:
09/565,922 05.05.2000 US
Title (EN) HYDROGEN IMPLANT FOR BUFFER ZONE OF PUNCH-THROUGH NON EPI IGBT
(FR) IMPLANT D'HYDROGENE POUR ZONE TAMPON DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A PORTE ISOLEE, NON EPITAXIAL, A PERFORATION
Abstract: front page image
(EN)An IGBT is formed in a thin (less than 250 microns thick) float zone silicon wafer (20) using a hydrogen implant to form an N+ buffer layer (30) at the bottom of the wafer. A weak anode (21) is formed on the bottom of the wafer. A single hydrogen implant, or a plurality of hydrogen implants of progressively shallower depth and increasing dose can be used to form the implant in a diffused float zone wafer. The process may also be used to form an N+ contact region in silicon to permit a good ohmic contact to the silicon for any type device.
(FR)Selon cette invention, un transistor bipolaire à porte isolée est formé dans une mince tranche de silicium (20) à zone flottante (d'une épaisseur inférieur à 250 microns) au moyen d'un implant d'hydrogène de façon à former une couche tampon N+ (30) au fond de la tranche. Une anode faible (21) est formée sur le fond de la tranche. Un implant d'hydrogène unique, ou une pluralité d'implants d'hydrogène, de moins en moins profonds et à dose de plus en plus forte peuvent être utilisés pour former l'implant dans une tranche à zone flottante diffusée. Le procédé peut être utilisé pour former une région de contact N+ dans le silicium pour permettre un bon contact ohmique sur le silicium pour n'importe quel type de dispositif.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)