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1. (WO2001086711) METHOD FOR PRODUCING A BIPOLAR TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/086711    International Application No.:    PCT/EP2001/005036
Publication Date: 15.11.2001 International Filing Date: 04.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    30.11.2001    
IPC:
H01L 21/331 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St. Martin-Str. 53 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
MÜLLER, Karl-Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WOLF, Konrad [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: MÜLLER, Karl-Heinz; (DE).
WOLF, Konrad; (DE)
Agent: GINZEL, Christian; Zimmermann & Partner Postfach 33 0920 80069 München (DE)
Priority Data:
00109644.5 05.05.2000 EP
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BIPOLARTRANSISTORS
(EN) METHOD FOR PRODUCING A BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung beschreibt ein Verfahren für die Herstellung von Bipolartransistoren unter Zuhilfenahme der selektiven Epitaxie für die Herstellung von Kollektor und Basis. Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den Vorteil, daß durch die isotrope Ätzung der leitenden Schicht bzw. die Oxidation der leitenden Schicht und anschließende Entfernung der Oxidschicht der Bereich der Basis verbreitert wird, so daß bei der nachfolgenden Erzeugung der Basis keine Kurzschlüsse zwischen Emitter und Kollektor auftreten können.
(EN)The invention relates to a method for producing bipolar transistors with the aid of selective epitaxy for producing a collector and base. The inventive method is advantageous in that the area of the base is widened by the isotropic etching of the conductive layer or by the oxidation of the conductive layer and by the subsequent removal of the oxide layer. This widening of the area of the base prevents the occurrence of short-circuits between the emitter and the collector during the subsequent production of the base.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire des transistors bipolaires par épitaxie sélective pour produire un collecteur et une base. Ce procédé présente l'avantage que la gravure isotope de la couche conductrice ou l'oxydation de la couche conductrice, puis l'élimination de la couche d'oxyde de la zone de la base n'entraînent pas de courts-circuits entre l'émetteur et le collecteur.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)