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1. (WO2001086705) THIN FILM PROCESSING METHOD AND THIN FILM PROCESSING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/086705    International Application No.:    PCT/JP2001/003908
Publication Date: 15.11.2001 International Filing Date: 10.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    10.12.2001    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (For All Designated States Except US).
SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 9-11, Kitashinagawa 5-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-8686 (JP) (For All Designated States Except US).
TANABE, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANEDA, Akihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TANABE, Hiroshi; (JP).
TANEDA, Akihiko; (JP)
Agent: IKEDA, Noriyasu; The 3rd Mori Building 4-10, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Priority Data:
2000-136646 10.05.2000 JP
Title (EN) THIN FILM PROCESSING METHOD AND THIN FILM PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE FILM MINCE
Abstract: front page image
(EN)A thin film processing method for processing a thin film by irradiating the thin film with a light beam. One irradiation unit of the light beam is the irradiation of the thin film with first and second light pulses. By repeating the irradiation of one irradiation unit, the thin film is processed. The pulse waveform of the first light pulse is different from that of the second one. Preferably one irradiation unit of the light beam comprises the irradiation with the first light pulse and the irradiation with the second light pulse started substantially simultaneously with the start of the irradiation with the first light pulse. The following two inequalities are satisfied: (the pulse duration of the first light pulse)<(pulse duration of the second light pulse), and (the irradiation intensity of the first light pulse)≥(the irradiation intensity of the second light pulse). A silicon thin film having a small trap level density is formed by light irradiation.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de film mince consistant à exposer un film mince à un faisceau lumineux. Un mode de réalisation de l'invention comprend l'application d'une première et d'une deuxième impulsion lumineuse sur le film mince. La répétition de cette étape permet de traiter le film mince. La forme de la première impulsion lumineuse diffère de la forme de la seconde impulsion. De préférence, ce procédé consiste à appliquer le rayonnement lumineux avec la première impulsion lumineuse et le rayonnement avec la seconde impulsion lumineuse simultanément. Les deux inégalités suivantes sont démontrées : la durée d'impulsion de la première impulsion lumineuse est inférieure à la durée d'impulsion de la seconde impulsion lumineuse, et l'intensité de rayonnement de la première impulsion lumineuse est supérieure ou égale à l'intensité de rayonnement de la seconde impulsion lumineuse. Ce procédé permet de former un film mince de silicium à faible niveau de piégeage. FIG. 1 : A INTENSITE B PREMIERE IMPULSION C SECONDE IMPULSION D TEMPS
Designated States: KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)