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1. (WO2001086698) METHOD AND SYSTEM FOR DETECTING METAL CONTAMINATION ON A SEMICONDUCTOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/086698    International Application No.:    PCT/US2001/015411
Publication Date: 15.11.2001 International Filing Date: 10.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    10.12.2001    
IPC:
G01N 27/00 (2006.01), G01N 27/60 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: KLA-TENCOR, INC. [US/US]; 160 Rio Robles, San Jose, CA 95134-1809 (US)
Inventors: XU, Zhiwei; (US).
SRIVATSA, Arun; (US).
SAMSAVAR, Amin; (US).
MILLER, Thomas, G.; (US).
HORNER, Greg; (US).
WEINZIERL, Steven; (US)
Agent: DELUCA, Mark, R.; Conley, Rose & Tayon, P.C., P.O. Box 398, Austin, TX 78767-0398 (US)
Priority Data:
60/203,538 10.05.2000 US
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR DETECTING METAL CONTAMINATION ON A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) METHODE ET SYSTEME DE DETECTION D'UNE CONTAMINATION METALLIQUE SUR UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method to detect metal contamination on a semiconductor topography is provided. The semiconductor topography may include a semiconductor substrate or a dielectric material disposed upon a semiconductor substrate. The metal contamination may be driven into the semiconductor substrate by an annealing process (28). Alternatively, the annealing process may drive the metal contamination into the dielectric material. Subsequent to the annealing process, a charge may be deposited upon an upper surface of the semiconductor topography (30). An electrical property of the semiconductor topography may be measured (32). A characteristic of at least one type of metal contamination may be determined as a function of the electrical property of the semiconductor topography (34). The method may be used to determine a characteristic of one or more types of metal contamination on a portion of the semiconductor topography or the entire semiconductor topography. A system configured to detect metal contamination on a semiconductor topography is also provided. An oven may be incorporated into the system and may be used to anneal the semiconductor topography. The system may also include a device that may be configured to deposit a charge on an upper surface of the semiconductor topography. A sensor may also be included in the system. The sensor may use a non-contact work function technique to measure an electrical property of the semiconductor topography.
(FR)Cette invention concerne une méthode permettant de détecter une contamination par le métal sur une tranche de semi-conducteur. Cette tranche de semi-conducteur peut comprendre un substrat semi-conducteur ou un matériau diélectrique disposé sur un substrat semi-conducteur. La contamination métallique peut être entraînée dans le substrat semi-conducteur par un processus de recuit. Il se peut également qu'un tel processus fasse pénétrer la contamination métallique dans le matériau diélectrique. A la suite du processus de recuit, une charge peut être déposée sur une surface supérieure de la topographie de semi-conducteur. Il st possible de mesurer une propriété électrique de la tranche de semi-conducteur. Il est possible de déterminer une caractéristique d'au moins un type de contamination métallique en tant que fonction de la propriété électrique de la tranche de semi-conducteur. Cette méthode peut être utilisée pour déterminer une caractéristique d'un ou de plusieurs types de contamination métallique sur une partie ou sur la totalité de la tranche. L'invention concerne également un système conçu pour détecter une contamination métallique sur une tranche de semi-conducteur. On peut assortir le système d'un four et l'utiliser pour effectuer un recuit sur la tranche de semi-conducteur. Le système peut également comporter un dispositif conçu pour déposer une charge sur la surface de la tranche. On peut également y inclure un détecteur. Ce détecteur peut faire intervenir une fonction sans contact pour mesurer une propriété électrique de la tranche de semi-conducteur.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)