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1. (WO2001086019) SUSCEPTORLESS SEMICONDUCTOR WAFER SUPPORT AND REACTOR SYSTEM FOR EPITAXIAL LAYER GROWTH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/086019    International Application No.:    PCT/US2001/010774
Publication Date: 15.11.2001 International Filing Date: 02.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    03.12.2001    
IPC:
C23C 16/458 (2006.01), C30B 25/12 (2006.01), C30B 31/14 (2006.01)
Applicants: SEH AMERICA, INC. [US/US]; 4111 N.E. 112th Avenue Vancouver, WA 98682-6776 (US)
Inventors: BOYDSTON, Mark, R.; (US).
DIETZE, Gerald, R.; (US).
HARTMANN, Dominic, A.; (US)
Agent: GOSNELL, Guy, R.; Alston & Bird, LLP Suite 4000 Bank of America Plaza 101 South Tryon Street Charlotte, NC 28280-4000 (US)
Priority Data:
09/567,659 09.05.2000 US
Title (EN) SUSCEPTORLESS SEMICONDUCTOR WAFER SUPPORT AND REACTOR SYSTEM FOR EPITAXIAL LAYER GROWTH
(FR) SUPPORT DE TRANCHE A SEMI-CONDUCTEUR SANS SUSCEPTEUR ET SYSTEME DE REACTEUR POUR CROISSANCE DE COUCHE EPITAXIALE
Abstract: front page image
(EN)A wafer support (208) includes a hub (202), an arm (206) extending outwardly from the hub, and a contact member (210) coupled to the arm. A portion of the contact member extends downward relative to the backside of the wafer (58). The downwardly extending portion is configured to contact and support the wafer during epitaxial growth of semiconductor material onto the wafer. The contact member is coupled to the arm via an upwardly extending support member (212) and coupling member (214). Alternately, the wafer support (258) may include a hub (252) and at least three arms (256) extending radially outward from the hub, and at least three contact members (262), each contact member being coupled to an arm. Each contact member includes a tip (266) configured to directly contact the backside of the wafer adjacent an outer edge of the wafer and to support the wafer within a reactor system.
(FR)L'invention concerne un support de tranche (208) comprenant un moyeu (202), un bras (206) se prolongeant vers l'extérieur à partir dudit moyeu ainsi qu'un élément de contact (210) couplé à ce bras. Une partie de l'élément de contact se prolonge vers le bas par rapport au côté arrière de la tranche (58). La partie se prolongeant vers le bas est conçue pour venir au contact de la tranche et pour la supporter pendant la croissance épitaxiale du matériau semi-conducteur sur la tranche. L'élément de contact est couplé au bras par l'intermédiaire d'un élément de support se prolongeant vers le haut (212) et d'un élément de couplage (214). Dans un autre mode de réalisation, le support de tranche (258) peut comprendre un moyeu (252) et au moins trois bras (256) se prolongeant radialement vers l'extérieur à partir dudit moyeu, ainsi que trois éléments de contact (262) au moins, chaque élément de contact étant couplé à un bras. Chacun de ces éléments de contact comprend une pointe (266) conçue pour venir directement au contact du côté arrière de la tranche au voisinage d'un bord extérieur de la tranche, et pour supporter ladite tranche à l'intérieur d'un système de réacteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)