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1. (WO2001085613) POLYCRYSTALLINE SILICON AND PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/085613    International Application No.:    PCT/JP2001/003865
Publication Date: 15.11.2001 International Filing Date: 09.05.2001
IPC:
B01J 10/00 (2006.01), C01B 33/03 (2006.01)
Applicants: TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho Tokuyama-shi Yamaguchi 745-0053 (JP) (For All Designated States Except US).
WAKAMATSU, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ODA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: WAKAMATSU, Satoru; (JP).
ODA, Hiroyuki; (JP)
Agent: OHSHIMA, Masataka; Ohshima Patent Office Fukuya Building 3, Yotsuya 4-chome Shinjuku-ku Tokyo 160-0004 (JP)
Priority Data:
2000-139023 11.05.2000 JP
Title (EN) POLYCRYSTALLINE SILICON AND PROCESS AND APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) SILICIUM POLYCRISTALLIN ET PROCEDE ET APPAREIL DE PRODUCTION CORRESPONDANTS
Abstract: front page image
(EN)A polycrystalline silicon which has bubbles therein and has an apparent density of 2.20 g/cm?3¿ or lower. In crushing, the amount of fine particles generated is extremely small and the silicon can be easily pulverized. This silicon is produced by keeping silicon molten in the presence of hydrogen, naturally dropping droplets of the resultant hydrogen-containing silicon over 0.2 to 3 seconds, and cooling the falling droplets to such a degree that hydrogen bubbles are confined therein. This silicon is produced in an apparatus which comprises a cylindrical vessel where silicon is precipitated and melted and a chlorosilane feed pipe inserted into the cylindrical vessel so as to extend to the silicon melting zone in the vessel, and which has a structure for supplying a sealing gas to the space between the cylindrical vessel and the chlorosilane feed pipe.
(FR)L'invention concerne un silicium polycristallin d'une densité apparente inférieure ou égale à 2,20 g/cm?3 ¿qui présente des bulles. Durant le broyage, la quantité de fines particules formées est extrêmement faible et le silicium peut être facilement pulvérisé. Pour produire ce silicium, on maintient le silicium à l'état fondu en présence d'hydrogène, on laisse tomber naturellement des gouttelettes dudit silicium renfermant de l'hydrogène obtenu pendant 0,2 à 3 secondes, et on refroidit les gouttelettes tombantes à un degré tel que les bulles d'hydrogène se trouvent confinées à l'intérieur de celles-ci. Ledit silicium est produit dans un appareil qui comprend un récipient cylindrique où le silicium est précipité et fondu et un tuyau d'alimentation en chlorosilane introduit dans le récipient cylindrique de manière à s'étendre jusqu'à la zone de fusion du silicium dudit récipient, et qui possède une structure permettant l'arrivée d'un gaz d'étanchéité dans l'espace compris entre le récipient cylindrique et le tuyau d'alimentation en chlorosilane.
Designated States: AU, CA, CN, IN, KR, NO, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)