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1. (WO2001084680) PASSIVATION OF SEMICONDUCTOR LASER FACETS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/084680    International Application No.:    PCT/US2001/008134
Publication Date: 08.11.2001 International Filing Date: 14.03.2001
Chapter 2 Demand Filed:    12.10.2001    
IPC:
H01L 33/44 (2010.01), H01S 5/028 (2006.01)
Applicants: CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, NY 14831 (US)
Inventors: HU, Martin, H.; (US).
KINNEY, Lyle, D.; (US).
ONYIRIUKA, Emmanuel, C.; (US).
OUYANG, Mike, X.; (US).
ZAH, Chung-en; (US)
Agent: AGON, Juliana; Corning Incorporated SP TI 3 1 Corning, NY 14831 (US)
Priority Data:
09/564,015 03.05.2000 US
Title (EN) PASSIVATION OF SEMICONDUCTOR LASER FACETS
(FR) PASSIVATION DES FACETTES D'UN LASER A SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A method of passivating an edge-emitting semiconductor diode laser and the resultant product. Laser bars are cleaved in air from a wafer containing multiple laser bars. The bars are placed into a vacuum processing chamber in which two steps are performed without breaking vacuum. The first step includes cleaning the facets including removing the native oxide by, for example, a low-energy ion beam or by an electron cyclotron resonance (ECR) plasma containing hydrogen and possibly argon or xenon with the bars being negatively biased. The second step includes coating the cleaned facets with a thin passivation layer of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H), whereby the facets are coating by the passivation layer without an intervening oxide. A low oxygen partial pressure of no more than 10?-8¿ Torr is maintained between the cleaning and deposition, both of which preferably are done in the same chamber. Also preferably, anti-reflective or highly reflective coatings are deposited on the facets without returning the laser bars to air.
(FR)L'invention concerne un procédé de passivation d'une diode laser à semiconducteurs à émission latérale ainsi que le produit obtenu. A cet effet, les barres laser sont sectionnées dans l'air à partir d'une tranche comprenant plusieurs barres laser. Les barres sont ensuite placées dans une chambre de traitement sous vide, où elles subissent deux opérations, toujours sous vide. La première opération consiste à nettoyer les facettes, notamment à éliminer l'oxyde natif au moyen, par exemple, d'un faisceau ionique de faible énergie ou d'un plasma à résonance cyclotron des électrons contenant de l'hydrogène et éventuellement de l'argon ou du xénon, les barres étant polarisées négativement. La seconde opération consiste à recouvrir les facettes nettoyées d'une fine couche de passivation constituée de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H), ce qui permet de recouvrir les facettes de la couche de passivation sans intervention d'un oxyde. Une faible pression partielle en oxygène, ne dépassant pas 10?-8¿ Torr est maintenue entre le nettoyage et le dépôt, ces deux opérations étant effectuées, de préférence, dans la même chambre. De préférence également, des revêtements antiréfléchissants ou hautement réfléchissants sont déposés sur les facettes sans que les barres laser ne se retrouvent dans l'air.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)