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1. (WO2001084602) METHOD OF FORMING A SHALLOW AND DEEP TRENCH ISOLATION (SDTI) SUITABLE FOR SILICON ON INSULATOR (SOI) SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/084602    International Application No.:    PCT/US2001/040620
Publication Date: 08.11.2001 International Filing Date: 27.04.2001
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC. [US/US]; 120 San Gabriel Drive Sunnyvale, CA 94068 (US) (For All Designated States Except US).
KALNITSKY, Alexander [US/US]; (US) (For US Only).
CHOUTOV, Dmitri, A. [US/US]; (US) (For US Only).
SCHEER, Robert, F. [US/US]; (US) (For US Only).
YANG, Fanling, H. [US/US]; (US) (For US Only).
DOBSON, Thomas, W. [US/US]; (US) (For US Only).
YAMAGUCHI, Tadanori [JP/US]; (US) (For US Only).
STUTZIN, Geoffrey, C. [US/US]; (US) (For US Only).
LIAO, Ken [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KALNITSKY, Alexander; (US).
CHOUTOV, Dmitri, A.; (US).
SCHEER, Robert, F.; (US).
YANG, Fanling, H.; (US).
DOBSON, Thomas, W.; (US).
YAMAGUCHI, Tadanori; (US).
STUTZIN, Geoffrey, C.; (US).
LIAO, Ken; (US)
Agent: BLAKELY, Roger, W.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 7th Floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025-1026 (US)
Priority Data:
09/564,178 03.05.2000 US
Title (EN) METHOD OF FORMING A SHALLOW AND DEEP TRENCH ISOLATION (SDTI) SUITABLE FOR SILICON ON INSULATOR (SOI) SUBSTRATES
(FR) PROCEDE SERVANT A CREER UNE ISOLATION DE TRANCHEE PEU PROFONDE ET PROFONDE (SDTI) POUR DES SUBSTRATS ISOLANTS (SOI) RECOUVERTS DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a shallow-deep trench isolation (SDTI) is provided that includes the steps of forming a pair of deep trenches through a silicon on insulator (SOI) layer without substantially disturbing an underlying buried oxide (BOX) layer. Once the deep trenches are formed, the trenches are formed, the trenches are filed with suitable electrical isolating materials, such as undoped poly-silicon or dielectric material, and etched back to obtain a substantially planarized top surface. Subsequently, an active nitride layer is deposited on the planarized top surface, and then a pair of shallow trenches are formed. The shallow trenches are formed using a low selectively etch to uniformly etch a deep trench liner oxide, the SOI layer and the electrical isolating material which have interfaces at non-perpendicular angles with respect to the direction of the etching. Once the shallow and deep trenches are formed, subsequent processing including filling the shallow trench, annealing and chemical-mechanical polishing can be performed.
(FR)L'invention concerne un procédé servant à créer une isolation de tranchée peu profonde-profonde (SDTI), ce qui consiste à élaborer une paire de tranchées profondes à travers du silicium placé sur une couche isolante (SOI) sans rentrer en contact avec une couche sous-jacente d'oxyde enterré (BOX). Une fois que ces tranchées profondes sont constituées, on les remplit par des matériaux d'isolation électrique appropriés, tels qu'un polysilicium non dopé ou un matériau diélectrique, et on les traite par attaque chimique afin d'obtenir une surface supérieure sensiblement plane. On dépose ensuite une couche active de nitrure sur la surface supérieure plane et on crée une paire de tranchées peu profondes. On crée ces tranchées peu profondes au moyen d'une gravure par attaque chimique peu sélective, de manière à graver uniformément un oxyde de doublure de tranchée profonde, la couche (SOI) et le matériau d'isolation électrique qui possèdent des interfaces au niveau d'angles non perpendiculaires par rapport au sens de la gravure. Une fois que ces tranchées peu profondes et profondes sont constituées, on peut effectuer la suite du traitement, y compris le remplissage de la tranchée peu profonde, le recuit et le polissage chimiomécanique.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)