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1. (WO2001084469) SEMI-PHYSICAL MODELING OF HEMT HIGH FREQUENCY SMALL-SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT MODELS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/084469    International Application No.:    PCT/US2001/013394
Publication Date: 08.11.2001 International Filing Date: 25.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    27.11.2001    
IPC:
G06F 17/50 (2006.01)
Applicants: TRW, INC. [US/US]; One Space Park Redondo Beach, CA 90278 (US)
Inventors: TSAI, Roger, S.; (US)
Agent: PANIAGUAS, John, S.; Katten Muchin Zavis 525 West Monroe Street Suite 1600 Chicago, IL 60661 (US).
HEAL, Noel, F.; TRW Inc. S&E Law Dept. Building E2/6051 One Space Park Redondo Beach, CA 90278 (US)
Priority Data:
60/200,666 28.04.2000 US
09/840,600 23.04.2001 US
Title (EN) SEMI-PHYSICAL MODELING OF HEMT HIGH FREQUENCY SMALL-SIGNAL EQUIVALENT CIRCUIT MODELS
(FR) MODELISATION SEMI-PHYSIQUE DE MODELES DE CIRCUITS EQUIVALENTS A PETITS SIGNAUX HAUTE FREQUENCE POUR TRANSISTORS TGME
Abstract: front page image
(EN)A semi-physical device model for HEMTs described in Figure 1 that can represent known physical device characteristics and measured high frequency small signal characteristics relatively accurately. The semi-physical device model in accordance with the present invention uses analytical expressions to model the fundamental electric charge and field structure of a HEMT internal structure. These expressions are based on the device physics but are in empirical form. In this way, the model is able to maintain physical dependency with good fidelity while retaining accurate measured-to-modeled DC and small signal characteristics. The model in accordance with the present invention provides model elements for a standard small signal equivalent circuit model of FET. The model elements are derived from small signal excitation analysis of intrinsic charge and electric field as modeled within the device by the semi-physical HEMT model. As such, the RF performance can be predicted at arbitrary bias points.
(FR)L'invention concerne un modèle de dispositif semi-physique pour TGME (Fig. 1) pouvant représenter des caractéristiques connues de dispositif physique et des caractéristiques mesurées de petits signaux haute fréquence de manière relativement précise. Selon la présente invention, ce modèle de dispositif semi-physique utilise des expressions analytiques pour modéliser la charge électrique fondamentale et la structure de champ d'une structure interne TGME. Ces expressions sont fondées sur les propriétés physiques du dispositif mais se présentent sous une forme empirique. De cette façon, le modèle est capable de conserver une dépendance physique avec une fidélité satisfaisante tout assurant le maintien de caractéristiques précises de courant continu et de petits signaux mesurés à modélisés. Selon l'invention, le modèle fournit des éléments de modèle pour un modèle de circuit équivalent à petits signaux standard de TEC. Ces éléments de modèle sont dérivés d'une analyse à excitation de petits signaux de la charge intrinsèque et du champ électrique tels que modélisés à l'intérieur du dispositif par le modèle semi-physique TGME. Ainsi, le fonctionnement HF peut être prédit au niveau de points de polarisation arbitraires.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)