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1. (WO2001084464) S-PARAMETER MICROSCOPY FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/084464    International Application No.:    PCT/US2001/013337
Publication Date: 08.11.2001 International Filing Date: 25.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    27.11.2001    
IPC:
G01R 27/28 (2006.01), G01R 31/28 (2006.01), G01R 31/316 (2006.01)
Applicants: TRW, INC. [US/US]; One Space Park Redondo Beach, CA 90278 (US)
Inventors: TSAI, Roger, S.; (US)
Agent: PANIAGUAS, John, S.; Katten Muchin Zavis 525 West Monroe Street Suite 1600 Chicago, IL 60661 (US).
HEAL, Noel, F.; TRW Inc. S & E Law Dept. One Space Park, Bldg. E2/6051 Redondo Beach, CA 90278 (US)
Priority Data:
60/200,307 28.04.2000 US
09/840,563 23.04.2001 US
Title (EN) S-PARAMETER MICROSCOPY FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) MICROSCOPIE A PARAMETRES S POUR DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A method of using bias-dependent S-parameter measurements as a form of microscopy (figure 5). The microscopy can be used to resolve the details of the internal charge and electric field structure of a semiconductor device. Like other forms of microscopy, the S-parameter microscopy focuses on pseudo 'images' and provides a contrast in the 'images'. Essentially, the images are gathered in raw form as S-parameter measurements and extracted as small signal models. The models are used to form charge control maps (32), through a selective method analogous to focusing. Focusing is provided for by an algorithm for the unique determination of small signal parameters with contrasts provided by utilizing measured bias dependent activity to discriminate boundaries between the electrical charge and fields.
(FR)L'invention concerne un procédé d'utilisation de mesures de paramètres S dépendant de la polarisation en tant que type de microscopie (fig. 5). La microscopie peut être utilisée afin de résoudre les détails de la structure de charge interne et de champ électrique d'un dispositif à semi-conducteurs. Comme d'autres types de microscopie, la microscopie à paramètres S se focalise sur des pseudo « images » et donne un contraste dans les « images ». Les images sont regroupées sous forme brute en tant que mesures de paramètres S, et extraites sous forme de modèles de petits signaux. Ces modèles sont utilisés afin de former des cartes de commande de charge (32) au moyen d'un procédé sélectif s'apparentant à la focalisation. La focalisation est effectuée au moyen d'un algorithme destiné à la détermination unique de paramètres de petits signaux à l'aide de contrastes obtenus par mesure de l'activité dépendant de la polarisation afin de distinguer des différences entre les charges et champs électriques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)