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1. (WO2001084242) MULTI DEPTH SUBSTRATE FABRICATION PROCESSES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/084242    International Application No.:    PCT/US2001/014125
Publication Date: 08.11.2001 International Filing Date: 01.05.2001
Chapter 2 Demand Filed:    20.11.2001    
IPC:
B81C 1/00 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: CALIPER TECHNOLOGIES CORP. [US/US]; 605 Fairchild Drive Mountain View, CA 94043 (US)
Inventors: MC REYNOLDS, Richard, J.; (US)
Agent: QUINE, Jonathan, Alan; The Law Offices of Jonathan Alan Quine P.O. Box 458 Alameda, CA 94501 (US)
Priority Data:
60/201,504 03.05.2000 US
Title (EN) MULTI DEPTH SUBSTRATE FABRICATION PROCESSES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT A MULTIPLES PROFONDEURS
Abstract: front page image
(EN)Method of fabricating microstructures on a substrate. The method comprises providing a substrate layer (100) having a first surface with a resist layer (102). First selected regions of the resist layer are exposed to an environment (104) that renders the resist layer more or less soluble in a developer solution. The resist layer is then developed to expose selected regions of the substrate surface (106a). Second selected regions (110) of the resist layer are then exposed to an environment (108) that renders the resist layer more or less soluble in the developer solution by aligning exposure of the second selected regions to the first selected regions. The first selected regions of the substrate surface are etched (106b). Second selected regions of the resist layer are then developed to expose the second selected regions of the substrate surface (110a). The substrate layer is then etched and the resist removed to form a multi-depth substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de microstructures sur un substrat. Ce procédé consiste à doter une couche de substrat (100) présentant une première surface d'une couche de résist (102). Les premières zones sélectionnées de la couche de résist sont exposées à un environnement (104) qui rend la couche de résist plus ou moins soluble dans une solution formant révélateur. La couche de résist est ensuite développée pour exposer des zones sélectionnées de la surface de substrat (160a). Des deuxièmes zones sélectionnées (110) de la couche de résist sont ensuite exposées à un environnement (108) qui rend la couche de résist plus ou moins soluble dans la solution formant révélateur en alignant l'exposition des deuxièmes zones sélectionnées sur les premières zones sélectionnées. Ces premières zones sélectionnées de la surface de substrat sont gravées à l'acide (106b). Les deuxièmes zones sélectionnées de la couche de résist sont ensuite développées pour exposer les deuxièmes zones sélectionnées de la surface de substrat (110a). La couche de substrat est ensuite gravée et le résist est retiré pour former un substrat à multiples profondeurs.
Designated States: AU, CA.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)