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1. (WO2001084237) SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION USING A PHOTOMASK DESIGNED USING MODELING AND EMPIRICAL TESTING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/084237    International Application No.:    PCT/US2001/011318
Publication Date: 08.11.2001 International Filing Date: 06.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    28.11.2001    
IPC:
G03F 1/00 (2012.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112-4508 (US)
Inventors: BUTT, Shahid; (US).
HAFFNER, Henning; (DE).
FRANKOWSKY, Beate; (DE)
Agent: BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation - Intellectual Property Dept. 186 Wood Ave. South Iselin, NJ 08830 (US).
EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26 D-80034 München (DE)
Priority Data:
09/562,700 28.04.2000 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION USING A PHOTOMASK DESIGNED USING MODELING AND EMPIRICAL TESTING
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR AU MOYEN D'UN PHOTOMASQUE CONCU PAR MODELISATION ET ESSAI EMPIRIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating a semiconductor device is outlined in Figure 3. An ideal (or desired) pattern of a layer of the semiconductor device is designed (305). A first pass corrected pattern is then derived by correcting the ideal patterns for major effects, e.g., aerial image effects (315, 320). A second pass corrected pattern is then derived by correcting the first pass corrected patterns for remaining errors (340). The second pass corrected pattern can be used to build a photomask (345). The photomask can then be used to produce a semiconductor device, such a memory chip or logic chip (350).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur (figure 3). Un motif idéal (ou recherché) d'une couche du dispositif à semi-condcuteur est conçu (305). Un motif corrigé lors d'un premier passage est ensuite dérivé par la correction des motifs idéaux pour l'obtention des effets principaux, par exemple les effets d'images aériennes (315, 320). Un motif corrigé lors d'un deuxième passage est ensuite dérivé par la correction des motifs corrigés lors du premier passage, pour ce qui concerne les erreurs restantes (340). Le motif corrigé lors du second passage peut être utilisé pour la construction d'un photomasque (345), lequel peut être ensuite utilisé pour la production d'un dispositif à semi-conducteur, tel qu'une puce de mémoire ou une puce logique (350).
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)