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1. (WO2001082381) IMPROVED BACKSIDE ILLUMINATED PHOTODIODE ARRAY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/082381    International Application No.:    PCT/US2001/012945
Publication Date: 01.11.2001 International Filing Date: 19.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    16.11.2001    
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: DIGIRAD CORPORATION [US/US]; 9350 Trade Place San Diego, CA 92126 (US)
Inventors: PI, Bo; (US).
COLLINS, Timothy, C.; (US).
CONWELL, Richard, L.; (US)
Agent: HAGLER, James, T.; Fish & Richardson P.C. Suite 500 4350 La Jolla Village Drive San Diego, CA 92122 (US)
Priority Data:
60/198,914 20.04.2000 US
09/838,707 18.04.2001 US
Title (EN) IMPROVED BACKSIDE ILLUMINATED PHOTODIODE ARRAY
(FR) RÉSEAU ENVERS DE PHOTODIODES ILLUMINÉES AMÉLIORÉ
Abstract: front page image
(EN)An improved semiconductor position-sensitive radiation detection device based on a photodiode array (100) formed in a substrate (102). In one embodiment, the substrate (102) has a first surface and a second surface opposing the first surface. The first surface is electrically conducting to provide a common bias potential to the photodiodes and is optically transparent to receive input photons to be detected. The device includes a grid of conducting wires (122) formed over and in electrical contact with the first surface and configured to define an array of pixels corresponding to the array of photodiodes (100). A scintillation array of scintillation elements can be coupled to match the pixels defined by the grid of conducting wires (122) and to convert incident radiation at a first wavelength outside the characteristic spectral response range of the substrate (102) into secondary photons at a second wavelength within the spectral response range of the substrate (102). The scintillation array includes optically reflective surfaces disposed between the scintillation elements to optically isolate one scintillation element from another.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de détection de rayonnement sensible à la position à semiconducteur fondé sur un réseau de photodiodes (100) formé dans un substrat (102). Dans un mode de réalisation de l'invention, ce substrat (102) possède une première surface et une seconde surface opposée à la première. La première surface est électriquement conductrice de façon à fournir aux photodiodes un potentiel de polarisation commun, et elle est optiquement transparente de façon à recevoir les photons entrants à détecter. Ce dispositif comprend une grille de fils (122) conducteurs formés sur la première surface et en contact avec celle-ci, agencée de façon à définir un réseau de pixels correspondant au réseau de photodiodes (100). Un réseau de scintillation constitué d'éléments de scintillation peut être couplé de façon à correspondre aux pixels définis par cette grille de fils (122) conducteurs, et à transformer le rayonnement incident à une première longueur d'onde hors de la plage de réponse spectrale caractéristique du substrat (102) en photons secondaires à une seconde longueur d'onde à l'intérieur de la plage de réponse spectrale de ce substrat (102). Ce réseau de scintillation comprend des surfaces de réflexion optique placées entre les éléments de scintillation de façon à isoler optiquement un élément de scintillation d'un autre.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)