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1. (WO2001082369) METHOD FOR THINNING A SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/082369    International Application No.:    PCT/EP2001/003846
Publication Date: 01.11.2001 International Filing Date: 04.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    14.11.2001    
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
HÜBNER, Holger [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHÄFER, Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HÜBNER, Holger; (DE).
SCHÄFER, Herbert; (DE)
Agent: EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26 80034 München (DE)
Priority Data:
00108571.1 19.04.2000 EP
Title (DE) VERFAHREN ZUM DÜNNEN EINES SUBSTRATS
(EN) METHOD FOR THINNING A SUBSTRATE
(FR) PROCEDE POUR AMINCIR UN SUBSTRAT
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum hochgenauen und schnellen Dünnen von einem Halbleitersubstrat, das unabhängig von der Toleranz eines Montageträgers (8) und einer Klebefuge (7), mit der das Substrat an dem Montageträger (8) befestigt wird, ausgeführt werden kann. Dazu wird in dem Substrat (1) eine erste dotierte Schicht (2) mit p-Dotierstoff gebildet. Anschliessend wird das Substrat (1) zunächst von seiner Rückseite (9) abgeschliffen und nasschemisch weiter zurückgeätzt. Dabei dient die erste dotierte Schicht (2) als Ätzstopp.
(EN)The invention relates to a method for rapidly thinning a semiconductor substrate with a high degree of precision. Said method can be carried out independently of both the tolerance of an assembly support (8) and of an adhesive joint (7) that is used to fix the substrate to the assembly support (8). To this end, a first layer (2), doped with a p-dopant is formed in the substrate (1). Then the substrate (1) is first pared down by grinding its rear surface (9) and subsequently thinned by a wet-chemical etching process. The first doped layer (2) acts as an etch stop.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant d'amincir avec une haute précision et rapidement un substrat en semi-conducteur, qui peut être mis en oeuvre indépendamment des tolérances d'un support de montage (8) et d'un joint de collage (7) au moyen duquel le substrat est fixé sur le support de montage (8). A cet effet, une première couche dopée (2) avec une substance de dopage p est formée dans le substrat (1). Ensuite, le substrat (1) est d'abord meulé sur sa face arrière (9) puis soumis à une attaque par voie chimique humide. La première couche dopée (2) sert alors de barrière d'arrêt d'attaque.
Designated States: BR, CA, CN, IL, IN, JP, KR, MX, RU, UA, US.
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)