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1. (WO2001082366) CERAMIC SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR FABRICATING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/082366    International Application No.:    PCT/JP2001/003299
Publication Date: 01.11.2001 International Filing Date: 18.04.2001
IPC:
C04B 41/50 (2006.01), C04B 41/51 (2006.01), C04B 41/87 (2006.01), C04B 41/88 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Applicants: IBIDEN CO., LTD. [JP/JP]; 1, Kandacho 2-chome Ogaki-shi, Gifu 503-0917 (JP) (For All Designated States Except US).
HIRAMATSU, Yasuji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITO, Yasutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HIRAMATSU, Yasuji; (JP).
ITO, Yasutaka; (JP)
Agent: YASUTOMI, Yasuo; Chuo BLDG. 4-20, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 532-0011 (JP)
Priority Data:
2000-121938 24.04.2000 JP
Title (EN) CERAMIC SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR FABRICATING DEVICE
(FR) SUBSTRAT CERAMIQUE POUR DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A ceramic substrate which is free from cracking or warping on heating or cooling quickly, from location-dependent variations in chucking force when the ceramic substrate constitutes an electrostatic chuck, from location-dependent variations in wafer treatment surface temperature when the ceramic substrate constitutes a hot plate, and from variations in voltage applied to guard electrodes or ground electrodes when the ceramic substrate constitutes a wafer prober to permit the removal of stray capacity or noise, and which comprises a conductive layer disposed on the surface or inside thereof, characterized in that a ratio (t2/t1) of an average conductive-layer thickness (t2) to an average ceramic-substrate thickness (t1) is less than 0.1, and variations in thickness from an average conductive-layer thickness range from 70 to +150%.
(FR)Cette invention concerne un substrat céramique possédant les propriétés suivantes : ce substrat céramique ne risque pas de se fissurer ou de se voiler en cas de chauffage ou de refroidissement rapide ; il n'est pas soumis à des variations liées au positionnement de la force de serrage lorsqu'il constitue un mandrin électrostatique, ni à des variations liées au positionnement pour le traitement de tranches lorsqu'il est utilisé comme plaque chauffante, ni encore à des variations de tension appliquée à des électrodes de protection ou de mise à la terre lorsqu'il est utilisé comme testeur de tranches pour l'élimination d'une capacité ou de bruit résiduels. Ce substrat céramique comprend une couche conductrice en surface ou noyée caractérisée en ce que le rapport (t2/t1) entre une épaisseur moyenne (t2) de la couche conductrice et une épaisseur moyenne (t1) du substrat céramique lui-même est inférieur à 0,1 et que les variations moyennes d'épaisseur de la couche conductrice se situent à l'intérieur d'une plage comprise entre 70 et + 150 %.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)