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1. (WO2001082358) PRODUCTION METHOD OF SILICON MIRROR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/082358    International Application No.:    PCT/JP2001/003316
Publication Date: 01.11.2001 International Filing Date: 18.04.2001
IPC:
H01L 21/324 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
KOBAYASHI, Norihiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
AKIYAMA, Shoji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMOTO, Yuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOBAYASHI, Norihiro; (JP).
AKIYAMA, Shoji; (JP).
MATSUMOTO, Yuichi; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F 6-4, Motoasakusa 2-chome Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Priority Data:
2000-122047 24.04.2000 JP
Title (EN) PRODUCTION METHOD OF SILICON MIRROR WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTE DE SILICIUM POLIE
Abstract: front page image
(EN)A production method of silicon mirror wafer characterized in that a mirror-polished CZ silicon wafer having an interstitial oxygen concentration of up to 16 ppma is heat-treated in an atmosphere of hydrogen, argon or a mixer of these gases so that the micro-roughness of the silicon wafer is up to 1.00 nm in terms of a 2-$g(m)m-square P-V value measured by an atomic force microscope, whereby providing a simple method for producing a silicon mirror wafer, capable of reducing grown-in defects in the vicinity of the surface of a CZ silicon wafer without sacrifice in micro-roughness and haze on the surface thereof.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de plaquette de silicium polie caractérisé en ce qu'une plaquette de silicium CZ à polissage « miroir », présentant une concentration interstitielle d'oxygène de 16 ppma au maximum, est traitée dans une atmosphère d'hydrogène, d'argon ou un mélange de ces gaz de sorte que la microrugosité de la plaquette de silicium s'élève au maximum à 1,00 nm en termes de profondeur de rugosité carré de 2 $g(m)m, mesurée par un microscope à force atomique. Ce procédé de production est simple et permet de réduire les défauts produits par croissance à proximité de la surface d'une plaquette de silicium CZ sans affecter la microrugosité ni le voile sur la surface de cette plaquette.
Designated States: JP, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)