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1. (WO2001082351) A METHOD OF FORMING A CONDUCTIVE COATING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/082351    International Application No.:    PCT/SE2001/000882
Publication Date: 01.11.2001 International Filing Date: 25.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    14.11.2001    
IPC:
H01L 21/68 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Applicants: TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (publ) [SE/SE]; S-126 25 Stockholm (SE)
Inventors: ARNBORG, Torkel; (SE).
SMITH, Ulf; (SE)
Agent: BERGENSTRÅHLE & LINDVALL AB; Box 17704 S-118 93 Stockholm (SE)
Priority Data:
0001510-7 26.04.2000 SE
Title (EN) A METHOD OF FORMING A CONDUCTIVE COATING ON A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN REVETEMENT CONDUCTEUR SUR UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)On a semiconductor die (307), a conductive layer (309) is formed by first attaching a semiconductor wafer (303) to a support wafer (305), then cutting the semiconductor wafer into dies, and finally depositing a conductive layer (311) on the sides of the dies. The conductive layer is preferably a metal layer, which extends into the support wafer, which ensures that, when the support wafer is removed, the conductive layer extends all the way over the sidewall of the semiconductor die. The method allows the simultaneous application of the conductive layer on many dies. The conductive layer reduces the resistance for currents in the radio frequency range flowing close to the edges of the die due to the skin effect.
(FR)Une couche conductrice (309) est formée sur une puce semi-conductrice (307) par la fixation d'une plaquette semi-conductrice (303) sur une plaquette support (305) puis par la découpe de la plaquette semi-conductrice en puces, et enfin par le dépôt d'une couche conductrice (311) sur les côtés des puces. La couche conductrice est, de préférence, une couche métallique qui s'étend dans la plaquette support, ce qui assure que, lorsque la plaquette support est retirée, la couche conductrice s'étend sur toute la paroi latérale de la puce semi-conductrice. Ce procédé permet l'application simultanée de la couche conductrice sur de nombreuses puces. La couche conductrice réduit la résistance, due à l'effet pelliculaire, des courants de la plage radiofréquence s'écoulant à proximité des bords de la puce.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)