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1. (WO2001081490) SLURRIES OF ABRASIVE INORGANIC OXIDE PARTICLES AND METHOD FOR POLISHING COPPER CONTAINING SURFACES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/081490    International Application No.:    PCT/US2001/011645
Publication Date: 01.11.2001 International Filing Date: 11.04.2001
Chapter 2 Demand Filed:    20.11.2001    
IPC:
C09G 1/02 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01)
Applicants: W. R. GRACE & CO.-CONN. [US/US]; 7500 Grace Drive Columbia, Maryland 21044 (US)
Inventors: PRYOR, James, Neil; (US)
Agent: CROSS, Charles, A.; W. R. Grace & Co.-Conn. 7500 Grace Drive Columbia, MD 21044 (US)
Priority Data:
09/551,935 20.04.2000 US
Title (EN) SLURRIES OF ABRASIVE INORGANIC OXIDE PARTICLES AND METHOD FOR POLISHING COPPER CONTAINING SURFACES
(FR) SUSPENSIONS BOUEUSES DE PARTICULES D'OXYDE INORGANIQUE ABRASIF ET PROCEDE PERMETTANT DE POLIR DES SURFACES CONTENANT DU CUIVRE
Abstract: front page image
(EN)Oxidizing agents are added to slurries of inorganic oxides which have been heated, e.g., autoclaved, to produce abrasive slurries which impart relatively equal polishing rates for conductive metal and insulating layers used to make semiconductor chips. A relatively flexible abrasive slurry in terms of its abrasivity is also provided by this slurry, thereby permitting the modification of a copper polishing slurry's abrasivity when a new insulating material is used to make a chip. When using this method, an increase in particle abrasivity of this slurry can be correlated with a decrease in particle surface area as determined by N¿2? adsorption (BET method) and abrasivity can be increased (or decreased) by heating the slurry to produce particles with a surface area determined to have the abrasivity desired. The method is particularly suitable for preparing silica-based abrasive slurries and the slurries prepared are particularly useful for polishing chips made with copper conductive circuits and silica-based insulating layers.
(FR)Selon l'invention, on ajoute des oxydants à des suspensions boueuses d'oxydes inorganiques qui ont été chauffées, notamment, traitées à l'autoclave, afin d'obtenir des suspensions boueuses abrasives qui confèrent des taux de polissage relativement égaux à des couches métalliques et isolantes conductrices servant à la fabrication de microplaquettes semi-conductrices. Lesdites suspensions boueuses permettent d'obtenir une suspension boueuse à abrasivité relativement souple, et ainsi de modifier l'abrasivité d'une suspension boueuse de polissage du cuivre lorsqu'on utilise un nouveau matériau isolant pour fabriquer une microplaquette semi-conductrice. Lors de l'utilisation de ce procédé, une augmentation de l'abrasivité particulaire de cette suspension boueuse peut être corrélée avec une diminution de la surface particulaire telle qu'elle est déterminée par l'adsorption de N¿2? (méthode BET) et il est possible d'augmenter (ou de diminuer) l'abrasivité en chauffant la suspension boueuse afin d'obtenir des particules présentant une aire de surface présentant l'abrasivité souhaitée. Ce procédé convient particulièrement à la préparation de suspensions boueuses abrasives à base de silicium et les suspensions boueuses préparées sont particulièrement utiles pour polir des microplaquettes semi-conductrices constituées des circuits conducteurs en cuivre et de couches isolantes à base de silicium.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)