Wafers (W) are horizontally placed with gaps in between in a wafer port 11 of a reactor (1) of double pipe structure. Zones (6a, 6b, 6c) in the reactor (1) are heated to a first process temperature, for example, 770 degrees C, by respective heating parts (4a, 4b, 4c) of a heater (4). Source gas is then introduced to perform deposition while cooling the zones (6a, 6b, 6c) to a second process temperature lower than the first process temperature, for example, 750 degrees C. By repeating the process of raising the zones (6a, 6b, 6c) to the first process temperature and the process of introducing source gas while cooling to the second process temperature, deposition is performed with wafer edges being lower in temperature than the central part of the wafer (W), improving the uniformity of film thickness on the wafer. The optimized deposition in each zone can be attained by setting the respective rates of decrease in temperature for the zones (6a, 6b, 6c).

Le procédé de l'invention consiste à placer horizontalement des plaquettes (W), en laissant entre chacune un espace, sur un support de plaquettes (11) d'un réacteur (1) à structure à deux conduites, à chauffer des zones (6a, 6b, 6c) du réacteur (1) pour les porter à une première température de traitement, par exemple 770 °C, au moyen de parties chauffantes correspondantes (4a, 4b, 4c) d'un système chauffant (4), à introduire ensuite un gaz source, de manière à exécuter un dépôt tout en refroidissant les zones (6a, 6b, 6c) pour les porter à une seconde température de traitement, inférieure à la première, par exemple 750 °C. En répétant le processus d'élévation des zones (6a, 6b, 6c) à une première température de traitement et le processus d'introduction d'un gaz source, tout en refroidissant ces zones pour les porter à une seconde température de traitement, le dépôt se produit étant donné que les bords d'une plaquette ont une température plus basse que la partie centrale de la plaquette (W), ce qui améliore l'uniformité de l'épaisseur du film sur la plaquette. On obtient un dépôt optimisé dans chaque zone en réglant les taux d'abaissement de la température dans les zones (6a, 6b, 6c).