(EN) A semiconductor wafer (210) is diced before thinning. The wafer (210) is diced only part of the way through, to form grooves which are at least as deep as the final thickness of each chip to be obtained from the wafer. Then, the wafer is placed into a non-contact wafer holder (510), and the wafer backside is blanket etched with a dry etch, for example, atmospheric pressure plasma etch. The wafer is thinned until the grooves are exposed from the backside. The dry etch leaves the chip's backside smooth. After the grooves have been exposed, the dry etch is continued to remove damage from the chip sidewalls and to round the chip's bottom edges (110E) and corners (110C). As a result, the chip becomes more reliable, and in particular more resistant to thermal and other stresses.
(FR) Selon le procédé de l'invention, la plaquette en semiconducteur est découpée en puces avant l'amincissement. Ladite plaquette n'est découpée que sur une partie de son épaisseur, de manière à former des rainures d'une profondeur au moins égale à l'épaisseur final de chacune des puces que l'on souhaite obtenir à partir de la plaquette. Ensuite, la plaquette est disposée dans un porte-plaquette sans contact, et le dos de la plaquette est gravé par attaque à sec, notamment par attaque au plasma sous pression atmosphérique. La plaquette est amincie jusqu'à ce que les rainures apparaissent sur le dos de la plaquette. L'attaque à sec laisse le dos de la puce lisse. Après l'apparition des rainures, on poursuit l'attaque à sec de manière à éliminer tout défaut au niveau des parois latérales de la puce et à arrondir les côtés et les coins inférieurs des puces. Ainsi, on obtient une puce plus fiable, et notamment plus résistante aux contraintes thermiques ou autres.