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1. (WO2001039560) DEVICE FOR HYBRID PLASMA PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/039560    International Application No.:    PCT/SE2000/002315
Publication Date: 31.05.2001 International Filing Date: 23.11.2000
Chapter 2 Demand Filed:    21.06.2001    
IPC:
C23C 16/517 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: BÁRDOS, Ladislav [CZ/SE]; (SE).
BARÁNKOVÁ, Hana [CZ/SE]; (SE)
Inventors: BÁRDOS, Ladislav; (SE).
BARÁNKOVÁ, Hana; (SE)
Agent: HEDBERG, Åke; Aros Patent AB, P.O. Box 1544, S-751 45 Uppsala (SE)
Priority Data:
9904295-4 26.11.1999 SE
Title (EN) DEVICE FOR HYBRID PLASMA PROCESSING
(FR) DISPOSITIF POUR LE TRAITEMENT AU PLASMA HYBRIDE
Abstract: front page image
(EN)A device for hybrid plasma processing, particularly for deposition of thin films and for plasma treatment of samples, in a plasma reactor with pumping system characterized in that at least one feeder of microwave power (2) is installed in the plasma reactor (1) and connected to a microwave generator (3) for generation of a microwave plasma (4) in contact with at least one hollow cathode (5) in the plasma reactor, where the hollow cathode is powered from a cathode power generator (6). At least one inlet for a processing gas (7) is installed behind the hollow cathode and the gas is admitted into the plasma reactor through the hollow cathode where a hollow cathode plasma (9) is generated. A magnetic means (10) is used for generation of a perpendicular magnetic field (11) and/or a longitudinal magnetic field (12) at an outlet (13) from the hollow cathode. A hybrid plasma (14) consists of the microwave plasma (4) and the hollow cathode plasma (9) for a processing of samples (15) placed on a sample holder (16) in contact with the hybrid plasma. A further inlet of additional processing gas (17) is installed in the plasma reactor outside the hollow cathode and a counter electrode (18) is connected to the cathode power generator.
(FR)L'invention concerne un dispositif pour le traitement au plasma hybride, notamment pour le dépôt de couches mince et pour le traitement au plasma d'échantillons, dans un réacteur à plasma à système de pompage, se caractérisant en ce qu'au moins un distributeur de puissance hyperfréquence (2) est installé dans le réacteur à plasma (1) et est connecté à un générateur d'hyperfréquences (3) qui génère un plasma excité par micro-ondes (4) en contact avec au moins une cathode creuse (5) dans le réacteur à plasma, la cathode creuse étant alimentée en énergie par un générateur de puissance (6) pour cathode. Au moins une entrée pour le gaz de traitement (7) est installée derrière la cathode creuse et le gaz est admis dans le réacteur à plasma par la cathode creuse dans laquelle un plasma (9) de cathode creuse est généré. Un moyen magnétique (10) est utilisé pour la génération d'un champ magnétique perpendiculaire (11) et/ou un champ magnétique longitudinal (12) au niveau d'une sortie (13) de la cathode creuse. Un plasma hybride (14) est formé de plasma excité par micro-ondes (4) et de plasma de cathode creuse (9) pour le traitement d'échantillons (15) placés sur un porte-échantillon (16) en contact avec le plasma hybride. Une autre admission de gaz de traitement supplémentaire (17) est installée dans le réacteur à plasma, à l'extérieur de la cathode creuse et une contre-électrode (18) est connectée au générateur d'énergie pour cathode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)