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1. (WO2001039342) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/039342    International Application No.:    PCT/JP2000/008018
Publication Date: 31.05.2001 International Filing Date: 14.11.2000
IPC:
H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/223 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (For All Designated States Except US).
YOSHIDA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ABE, Misuzu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHARA, Maho [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YOSHIDA, Hiroshi; (JP).
ABE, Misuzu; (JP).
OHARA, Maho; (JP)
Agent: SUGIURA, Masatomo; 7th Floor, Ikebukuro Park Bldg., 49-7, Minami Ikebukuro 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 171-0022 (JP)
Priority Data:
11/331685 22.11.1999 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor light emitting element comprising, laminated sequentially on a substrate, an n-type clad layer, an active layer and a p-type layer containing at least a p-type clad layer, a ridge-formed nitride III-V compound semiconductor being used as the p-type layer, wherein, when a metal film, an insulation film or a nitride III-V compound semiconductor film is provided outside the ridge in contact with the p-type layer, the thickness of a p-type layer existing between the metal film, the insulation film or the nitride III-V compound semiconductor film and an active layer is to be respectively at least 100 nm, at least 76 nm or at least 86 nm. Or, a semiconductor light emitting element comprising, laminated sequentially on a substrate, a p-type clad layer, an active layer and an n-type layer containing at least a n-type clad layer, a ridge-formed nitride III-V compound semiconductor being used as the n-type layer, wherein, when a metal film, an insulation film or a nitride III-V compound semiconductor film is provided outside the ridge in contact with the n-type layer, the thickness of an n-type layer existing between the metal layer, the insulation film or the nitride III-V compound semiconductor film and an active layer is to be respectively at least 20 nm, at least 10 nm or at least 85 nm.
(FR)L'invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteur, comprenant, appliquées séquentiellement en strates sur un substrat, une couche de placage du type n, une couche active et une couche de type p contenant au moins une couche de placage de type p, un composé semi-conducteur au nitrure III-V formant une nervure, utilisé comme couche de type p. Ainsi, lorsqu'un film métallique, un film isolant ou un film de composé semi-conducteur au nitrure III-V est prévu à l'extérieur de la nervure en contact avec la couche de type p, l'épaisseur d'une couche de type p présente entre le film métallique, le film isolant ou le film de composé semi-conducteur au nitrure III-V et une couche active, est respectivement d'au moins 100 nm, d'au moins 76 nm ou d'au moins 86 nm. L'invention porte également sur un élément électroluminescent à semi-conducteur comprenant, appliquées séquentiellement en strates sur un substrat, une couche de placage de type p, une couche active et une couche de type n contenant au moins une couche de placage de type n, un composé semi-conducteur au nitrure III-V en forme de nervure étant utilisé comme couche de type n. Ainsi, lorsqu'un film métallique, un film isolant ou un film de composé semi-conducteur au nitrure III-V est prévu à l'extérieur de la nervure en contact avec la couche de type n, l'épaisseur de la couche de type n présente entre la couche métallique, le film isolant ou le film de composé semi-conducteur au nitrure III-V et une couche active, est respectivement d'au moins 20 nm, d'au moins 10 nm ou d'au moins 85 nm.
Designated States: JP, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)