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1. (WO2001039292) FABRICATION OF NANOMETER SIZE GAPS ON AN ELECTRODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/039292    International Application No.:    PCT/US2000/042312
Publication Date: 31.05.2001 International Filing Date: 29.11.2000
Chapter 2 Demand Filed:    28.06.2001    
IPC:
B23B 21/00 (2006.01)
Applicants: TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA [US/US]; Suite 300, 3700 Market Street, Philadelphia, PA 19104 (US) (For All Designated States Except US).
JOHNSON, Alan, T., Jr. [US/US]; (US) (For US Only).
RADOSAVLJEVIC, Marko [US/US]; (US) (For US Only).
LEFEBVRE, Jacques [CA/CA]; (CA) (For US Only)
Inventors: JOHNSON, Alan, T., Jr.; (US).
RADOSAVLJEVIC, Marko; (US).
LEFEBVRE, Jacques; (CA)
Agent: LEWIS, Christopher, R.; Ratner & Prestia, 301 One Westlakes (Berwyn), P.O. Box 980, Valley Forge, PA 19482-0980 (US)
Priority Data:
60/167,851 29.11.1999 US
Title (EN) FABRICATION OF NANOMETER SIZE GAPS ON AN ELECTRODE
(FR) FABRICATION DE TROUS DE LA TAILLE D'UN NANOMETRE SUR UNE ELECTRODE
Abstract: front page image
(EN)A shadow mask method to fabricate electrodes with nanometer scale separation utilizes nanotubes (NTs). Metal wires (4) with gaps are made by incorporating multi-wall carbon nanotubles (1) (MWNTs) or single- wall carbon nanotubes (SWNTs) (or bundles thereof) into a tri-layer electron beam lithography process. The simple, highly controllable, and scaleable method can be used to make gaps with widths between 1 and 100 nm. Electronic transport measurements performed on individual SWNTs bridge nanogaps smaller than 30 nm. Metallic SWNTs exhibits quantum dot behavior with an 80 neV charging energy and a 20 meV energy level splitting. Semiconducting SWNTs show an anomalous field effect transistor behavior.
(FR)L'invention concerne un masque perforé servant à fabriquer des électrodes au moyen d'une séparation à échelle nanométrique utilisant des nanotubes. Des câbles métalliques dotés de trous sont fabriqués par incorporation de nanotubes de carbone à parois multiples ou à paroi unique (ou des faisceaux de ceux-ci) dans un procédé lithographique de faisceau d'électrons à trois couches. Le procédé simple, amplement réglable et échelonnable peut être utilisé afin de ménager des trous présentant des largeurs comprises entre 1 et 100 nm. Des mesures de transport électroniques sont effectuées sur des nanotrous de pont de nanotubes de carbone à paroi unique spécifiques inférieurs à 30 nm. Les nanotubes de carbone à paroi unique métalliques présentent un comportement à point quantique avec une énergie de charge de 80 meV et une séparation de niveau d'énergie de 20 meV. Les nanotubes de carbone à paroi unique semi-conducteurs présentent un comportement anormal de transistor à effet de champ.
Designated States: AU, CA, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)