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1. (WO2001039282) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/039282    International Application No.:    PCT/DE2000/004089
Publication Date: 31.05.2001 International Filing Date: 20.11.2000
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/343 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 22, 93049 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
HÄRLE, Volker [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAHN, Berthold [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LUGAUER, Hans-Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BOLAY, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BADER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
EISERT, Dominik [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STRAUSS, Uwe [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VÖLKL, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ZEHNDER, Ulrich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LELL, Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEIMAR, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: HÄRLE, Volker; (DE).
HAHN, Berthold; (DE).
LUGAUER, Hans-Jürgen; (DE).
BOLAY, Helmut; (DE).
BADER, Stefan; (DE).
EISERT, Dominik; (DE).
STRAUSS, Uwe; (DE).
VÖLKL, Johannes; (DE).
ZEHNDER, Ulrich; (DE).
LELL, Alfred; (DE).
WEIMAR, Andreas; (DE)
Agent: EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Priority Data:
199 55 747.0 19.11.1999 DE
Title (DE) OPTISCHE HALBLEITERVORRICHTUNG MIT MEHRFACH-QUANTENTOPF-STRUKTUR
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR OPTIQUE DOTE D'UNE STRUCTURE DE PUITS QUANTIQUE MULTICOUCHE
Abstract: front page image
(DE)Optische Halbleitervorrichtung mit einer Mehrfach-Quantentopf-Struktur, in der Topfschichten und Barriereschichten aus verschiedenen Arten von Halbleiterschichten abwechselnd aufeinander geschichtet sind, wobei Topfschichten (6a) einer ersten Zusammensetzung auf der Basis eines Nitrid-Halbleitermaterials mit einer ersten Elektronenenergie und Barriereschichten (6b) einer zweiten Zusammensetzung eines Nitrid-Halbleitermaterials mit gegenüber der ersten Elektronenenergie höheren Elektronenenergie vorgesehen sind, denen in Aufwachsrichtung gesehen eine strahlungsaktive Quantentopfschicht (6c) nachgeordnet ist, für die die vorgeordneten im Wesentlichen nicht strahlenden Topfschichten (6a) und die Barriereschichten (6b) ein Übergitter bilden.
(EN)The invention relates to an optical semiconductor device comprising a multiple quantum well structure, in which well layers and barrier layers consisting of different types of semiconductor layers are stacked alternately on top of one another. The invention is characterised in that the well layers (6a) have a first composition, based on a nitride semiconductor material with a first electron energy and the barrier layers (6b) have a second composition based on a nitride semiconductor material with a higher electron energy in relation to the first electron energy. An active radiative quantum well layer (6c) is located downstream of said layers in the epitaxial direction and the essentially non-radiative well layers (6a) positioned upstream, together with the barrier layers (6b) form a superlattice for said active quantum well layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteur optique doté d'une structure de puits quantique multicouche, selon lequel les couches puits et les couches barrières, constituées de différents types de couches à semiconducteur, sont superposées alternativement. Le dispositif est caractérisé en ce que les couches puits (6a) d'une première composition à base d'un matériau semiconducteur à base de nitrure doté d'une première énergie électronique et en ce que les couches barrières (6b) d'une deuxième composition sont à base d'un matériau semiconducteur à base de nitrure doté d'une énergie électronique supérieure à la première, une couche puits radiante (6c) étant placée en aval dans le sens épitaxial du dispositif et les couches puits (6a) essentiellement non radiantes placées en amont formant un superréseau avec les couches barrière (6b).
Designated States: CA, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)