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1. (WO2001039257) SILICON LAYER HIGHLY SENSITIVE TO OXYGEN AND METHOD FOR OBTAINING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/039257 International Application No.: PCT/FR2000/003304
Publication Date: 31.05.2001 International Filing Date: 27.11.2000
Chapter 2 Demand Filed: 15.06.2001
IPC:
H01L 21/04 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 29/04 (2006.01)
Applicants: AMY, Fabrice[FR/FR]; FR (UsOnly)
BRYLINSKI, Christian[FR/FR]; FR (UsOnly)
DUJARDIN, Gérald[FR/FR]; FR (UsOnly)
ENRIQUEZ, Hanna[FR/FR]; FR (UsOnly)
MAYNE, Andrew[FR/FR]; FR (UsOnly)
SOUKIASSIAN, Patrick[FR/FR]; FR (UsOnly)
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE[FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération F-75752 Paris 15ème, FR
Inventors: AMY, Fabrice; FR
BRYLINSKI, Christian; FR
DUJARDIN, Gérald; FR
ENRIQUEZ, Hanna; FR
MAYNE, Andrew; FR
SOUKIASSIAN, Patrick; FR
Agent: LEHU, Jean; Brevatome 3, rue du Docteur Lancereaux F-75008 Paris, FR
Priority Data:
99/1484625.11.1999FR
Title (EN) SILICON LAYER HIGHLY SENSITIVE TO OXYGEN AND METHOD FOR OBTAINING SAME
(FR) COUCHE DE SILICIUM TRES SENSIBLE A L'OXYGENE ET PROCEDE D'OBTENTION DE CETTE COUCHE
Abstract: front page image
(EN) The invention concerns a layer (2) formed on a substrate, for example a SiC layer, having a 4x3 surface structure. The process for obtaining such a layer consists in depositing silicon substantially evenly on a surface of the substrate. The invention is useful in particular in microelectronics.
(FR) Cette couche (2), formée sur un substrat (4) par exemple en SiC, a une structure de surface 4x3. Pour l'obtenir, on dépose de façon sensiblement uniforme du silicium sur une surface du substrat. L'invention s'applique par exemple en microélectronique.
Designated States: CA, JP, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)