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1. (WO2001037387) SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/037387    International Application No.:    PCT/JP2000/008067
Publication Date: 25.05.2001 International Filing Date: 16.11.2000
IPC:
H01L 21/24 (2006.01), H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: THE FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8322 (JP) (For All Designated States Except US).
YAMAGUCHI, Takeharu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MUKAIHARA, Toshikazu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KASUKAWA, Akihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: YAMAGUCHI, Takeharu; (JP).
MUKAIHARA, Toshikazu; (JP).
KASUKAWA, Akihiko; (JP)
Agent: INAGAKI, Kiyoshi; Fusoh Patent Firm, Rindo Building 5F, 37, Kanda-Higashimatsushita-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 101-0042 (JP)
Priority Data:
11-325223 16.11.1999 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER A SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor laser element (30) comprises an n-type GaAs substrate (32) having a band gap energy of Eg1, on which are epitaxially grown an n-type AlGaAs cladding layer (34), an active layer (36) formed as a 2-layer quantum-well structure of InGaAs and GaAs and having a band gap energy of Eg2 smaller than Eg1, a p-type AlGaAs cladding layer (38), and a p-type GaAs cap layer (40). The cap layer and the p-type cladding layer have stripe mesa structures. Passivation film (42) of SiN is formed in the areas except on the cap layer, and a p-side electrode (44) is formed on exposed part of the cap layer and the passivation film. An n-side electrode (46) consisting of a metal laminate of In/AuGe/Ni/Au is formed on the back of the substrate, and an InGaAs layer (48) lies as an absorber medium between the GaAs substrate and the n-type electrode.
(FR)Un laser à semiconducteur (30) comporte : un substrat GaAs du type n (32), à bande d'énergie interdite d'Eg1, sur lequel une couche de placage AlGaAs (34) du type n est formée par croissance épitaxiale ; une couche active (36) se présentant sous forme de structure de puits quantique bicouche de InGaAs et GaAs et à bande d'énergie interdite Eg2 inférieure à celle de Eg1 ; une couche de placage AlGaAs (38) du type p et une couche d'encapsulation GaAs (40) de type p. La couche d'encapsulation et la couche de placage du type p présente des structures mésa en ruban. Un film de passivation (42) de SiN est formé dans les zones, sauf sur la couche d'encapsulation, et une électrode côté p (44) est formée sur la partie exposée de la couche d'encapsulation et du film de passivation. Une électrode côté n (46) constituée d'un stratifié métallique de In/AuGe/Ni/Au est formée sur le dos du substrat, et une couche InGaAs (48) fait office de milieu absorbant entre le substrat GaAs et l'électrode de type n.
Designated States: CA, US.
European Patent Office (CH, DE, FR, GB, IT).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)