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1. (WO2001037348) TYPE II INTERBAND HETEROSTRUCTURE BACKWARD DIODES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/037348    International Application No.:    PCT/US2000/031760
Publication Date: 25.05.2001 International Filing Date: 16.11.2000
Chapter 2 Demand Filed:    15.06.2001    
IPC:
H01L 29/88 (2006.01)
Applicants: HRL LABORATORIES, LLC [US/US]; 3011 Malibu Canyon Road, Malibu, CA 90265 (US) (For All Designated States Except US).
NGUYEN, Chan [US/US]; (US) (For US Only).
CHOW, David, H. [US/US]; (US) (For US Only).
SCHULMAN, Joel, N. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: NGUYEN, Chan; (US).
CHOW, David, H.; (US).
SCHULMAN, Joel, N.; (US)
Agent: TOPE-MCKAY, Cary, R.; Tope-McKay & Associates, 23852 Pacific Coast Highway #311, Malibu, CA 90265 (US)
Priority Data:
09/441,903 17.11.1999 US
Title (EN) TYPE II INTERBAND HETEROSTRUCTURE BACKWARD DIODES
(FR) DIODES INVERSEES A HETEROSTRUCTURE INTERBANDE DU TYPE II
Abstract: front page image
(EN)A backward diode including a heterostructure consisting of a first layer of InAs (302) and second layer of GaSb or InGaSb (304) with an interface layer (300) consisting of an aluminium antimonide compound is presented. It is also disclosed that the presence of AlSb in the interface enhances the highly desirable characteristic of nonlinear current-voltage (I-V) curve near zero bias. The backward diode is useful in radio frequency detection and mixing. The interface layer (300) may be one or more layers in thickness, and may also have a continuously graded AIGaSb layer with a varying A1 concentration in order to enhance the nonlinear I-V curve characteristic near zero bias.
(FR)L'invention concerne une diode inversée à hétérostructure se composant d'une première couche d'InAs (302) et d'une seconde couche de GaSb ou d'InGaSb (304) avec une couche interface (300) constituée d'un composé d'antimoniure d'aluminium. L'invention porte également sur le fait que la présence d'AlSb dans l'interface renforce la caractéristique fortement recherchée de la courbe courant-tension (I-U) non linéaire à polarisation voisine de zéro. La diode inversée convient pour la détection et le mélange de fréquences radio. La couche interface (300) peut se présenter sous forme d'une ou de plusieurs couches en épaisseur et peut également présenter une couche profilée de façon continue d'AIGaSb, présente en concentration variable d'A1 afin de renforcer la caractéristique de la courbe courant-tension (I-U) non linéaire à polarisation voisine de zéro.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)