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1. (WO2001037340) PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND METHODS FOR MAKING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/037340 International Application No.: PCT/US2000/029735
Publication Date: 25.05.2001 International Filing Date: 26.10.2000
IPC:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/525 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.[NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL
PHILIPS SEMICONDUCTORS, INC.[US/US]; 811 East Arques Avenue Sunnyvale, CA 94088, US (MC)
Inventors: BOTHRA, Subhas; US
Agent: PENILLA, Albert, S.; Martine, Penilla & Kim, LLP Suite 170 710 Lakeway Drive Sunnyvale, CA 94085, US
Priority Data:
09/440,10315.11.1999US
Title (EN) PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES AND METHODS FOR MAKING THE SAME
(FR) STRUCTURES DE COMPOSANTS A SEMI-CONDUCTEUR PROGRAMMABLES ET PROCEDES DE FABRICATION DE TELLES STRUCTURES
Abstract: front page image
(EN) A programmable device and methods for making the programmable device are provided. The programmable device includes a link metallization line with an oxide layer defined above the link metallization line. A via hole is patterned in the oxide layer which defines a path to the link metallization line. A programming metallization line is defined over the oxide layer. The programming metallization line has an overlap portion that lies over the via hole. The overlap portion is configured to melt into the via hole to define a programming link between the link metallization line and the programming metallization line. In one example, the melting is accomplished by implementing a laser that can direct laser energy toward a desired programmable device to achieve the desired programming.
(FR) Cette invention se rapporte à un composant programmable et à des procédés de fabrication d'un tel composant programmable, lequel comporte une ligne de métallisation de liaison sur laquelle est formée une couche d'oxyde. Un trou traversant est pratiqué par gravure dans la couche d'oxyde, de façon à définir un chemin jusqu'à la ligne de métallisation de liaison. Une ligne de métallisation de programmation est créée sur la couche d'oxyde. La ligne de métallisation de programmation comporte une partie de chevauchement qui recouvre le trou traversant. La partie de chevauchement est configurée pour fondre dans le trou traversant, afin de définir une liaison de programmation entre la ligne de métallisation de liaison et la ligne de métallisation de programmation. Dans un exemple de réalisation, on réalise la fusion en utilisant un laser qui dirige une énergie laser sur un composant programmable désiré, afin de réaliser la programmation désirée.
Designated States: CN, JP, KR
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)