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1. (WO2001037315) PLASMA PROCESSING SYSTEMS AND METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/037315    International Application No.:    PCT/US2000/031322
Publication Date: 25.05.2001 International Filing Date: 14.11.2000
Chapter 2 Demand Filed:    07.06.2001    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; P0527.PCT, 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6516 (US) (For All Designated States Except US).
BAILEY, Andrew, D., III [US/US]; (US) (For US Only).
SCHOEPP, Alan, M. [US/US]; (US) (For US Only).
HEMKER, David, J. [US/US]; (US) (For US Only).
WILCOXSON, Mark, H. [US/US]; (US) (For US Only).
KUTHI, Andras [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BAILEY, Andrew, D., III; (US).
SCHOEPP, Alan, M.; (US).
HEMKER, David, J.; (US).
WILCOXSON, Mark, H.; (US).
KUTHI, Andras; (US)
Agent: LEE, Michael; Beyer Weaver & Thomas, LLP, Post Office Box 778, Berkeley, CA 94704 (US).
OLYNICK, Mary, R.; Beyer Weaver & Thomas, LLP, Post Office Box 778, Berkeley, CA 94704-0778 (US)
Priority Data:
09/439,661 15.11.1999 US
Title (EN) PLASMA PROCESSING SYSTEMS AND METHOD THEREFOR
(FR) SYSTEMES DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCEDE ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A plasma processing system for processing a substrate which includes a single chamber, substantially azimuthally symmetric plasma processing chamber within which a plasma is both ignited and sustained for the processing. The plasma processing chamber has no separate plasma generation chamber. The plasma processing chamber has an upper end and a lower end. The plasma processing system includes a coupling window disposed at an upper end of the plasma processing chamber and an RF antenna arrangement disposed above a plane defined by the substrate when the substrate is disposed within the plasma processing chamber for the processing. The plasma processing system also includes an electromagnet arrangement disposed above the plane defined by the substrate. The electromagnet arrangement is configured so as to result in a radial variation in the controllable magnetic field within the plasma processing chamber in the region proximate the coupling window and antenna when at least one direct current is supplied to the electromagnet arrangement. The radial variation is effective to affect processing uniformity across the substrate. The plasma processing system additionally includes a dc power supply coupled to the electromagnet arrangement. The dc power supply has a controller to vary a magnitude of at least one direct current, thereby changing the radial variation in the controllable magnetic field within the plasma processing chamber in the region proximate the antenna to improve the processing uniformity across the substrate.
(FR)L'invention concerne un système de traitement au plasma pour le traitement d'un substrat. Ledit système comporte une seule chambre, soit une chambre de traitement au plasma symétrique de manière sensiblement azimutale, dans laquelle le plasma subit une ignition et est maintenu pour le traitement. La chambre de traitement au plasma ne possède pas de chambre de génération de plasma séparée. Elle présente une extrémité supérieure et une extrémité inférieure. Le système de traitement au plasma comprend une fenêtre d'accouplement placée au niveau d'une extrémité supérieure de la chambre de traitement au plasma et un dispositif d'antenne RF est placé au-dessus d'un plan défini par le substrat, lorsque celui-ci est placé dans la chambre de traitement au plasma pour le traitement. Le système de traitement au plasma comporte également un dispositif à électroaimant placé au-dessus du plan défini par le substrat. Ledit dispositif à électroaimant est conçu, de sorte que le champ magnétique modulable varie radialement dans la chambre de traitement au plasma, dans la région proche de la fenêtre d'accouplement et de l'antenne, lorsque au moins un courant continu est envoyé au dispositif à électroaimant. La variation radiale est efficace pour modifier l'homogénéité de traitement dans le substrat. Le système de traitement au plasma comporte également une alimentation CC couplée au dispositif à électroaimant. L'alimentation CC possède un régulateur qui modifie l'intensité d'au moins un courant continu, ce qui modifie la variation radiale dans le champ magnétique modulable dans la chambre de traitement au plasma, dans la zone proche de l'antenne, de sorte que l'homogénéité de traitement soit améliorée dans le substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)