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1. (WO2001036718) SILICON WAFER AND PRODUCTION METHOD THEREOF AND EVALUATION METHOD FOR SILICON WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/036718    International Application No.:    PCT/JP2000/007808
Publication Date: 25.05.2001 International Filing Date: 07.11.2000
IPC:
C30B 15/00 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKENO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIGENO, Hideki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IIDA, Makoto [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKENO, Hiroshi; (JP).
SHIGENO, Hideki; (JP).
IIDA, Makoto; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Priority Data:
11/322242 12.11.1999 JP
Title (EN) SILICON WAFER AND PRODUCTION METHOD THEREOF AND EVALUATION METHOD FOR SILICON WAFER
(FR) PLAQUETTE DE SILICIUM, SON PROCEDE DE PRODUCTION ET PROCEDE D'EVALUATION POUR PLAQUETTE DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A silicon wafer obtained by slicing a silicon single-crystal bar grown by a CZ method by doping or not doping nitrogen, wherein the entire surface of the silicon wafer is either one of an NV region, an NV region containing an OSF ring region and an OSF ring region, and its interstitial oxygen concentration is up to 14 ppma; and a production method thereof; and a method of evaluating a defective region in a silicon wafer; whereby providing a silicon wafer that can ensure a stable oxygen deposition without depending on a crystal position and a device process, and a production method thereof. It is also possible to evaluate a defective region in a silicon wafer where a lifting condition is unknown and a defective region is not identified.
(FR)L'invention concerne une plaquette de silicium obtenue par découpe en tranche d'une barre de silicium monocristalline obtenue par la méthode de Czochralski par dopage ou non dopage d'azote, toute la surface de la plaquette de silicium étant soit une région NV, soit une région annulaire OSF, et sa concentration en oxygène interstitiel s'élevant à 14 ppma. L'invention concerne également un procédé de production de telles plaquettes, ainsi qu'un procédé d'évaluation d'une région défectueuse dans une plaquette de silicium, la plaquette de silicium pouvant ainsi assurer un dépôt d'oxygène constant, sans dépendre d'une position cristal, un processus de traitement, ainsi que son procédé de production. Une région défectueuse d'une plaquette de silicium peut également être évaluée lorsqu'une condition de soulèvement est inconnue et une région défectueuse non identifiée.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)