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1. (WO2001035465) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FIELD EFFECT TRANSISTOR AND A METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/035465 International Application No.: PCT/EP2000/010222
Publication Date: 17.05.2001 International Filing Date: 16.10.2000
IPC:
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 29/80 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.[NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL
Inventors: BLOOS, Johannes; NL
DEN BOER, Antonius, W., J., P.; NL
VAN GRUNSVEN, Erik, C., E.; NL
KLERK, Jacob; NL
DE SAMBER, Marc, A.; NL
WEEKAMP, Johannus, W.; NL
Agent: SMEETS, Eugenius, T., J., M.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Priority Data:
99203769.711.11.1999EP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FIELD EFFECT TRANSISTOR AND A METHOD OF MANUFACTURING SUCH A DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS POURVU D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a field effect transistor (T) of the (quasi-)vertical type, which means that in the semiconductor body (10) of the transistor (T), a source (1) and a drain (3) are positioned (approximately) above each other and are separated from each other by the channel region (2), which is connected to a gate region (4), each one of said regions being connected to a connection conductor (6, 7, 11) joining a connection region (7, 8, 12). The connection regions (7, 8) of the source (1) and the gate (4) are situated on top of the semiconductor body (10). According to the invention, the semiconductor body (10) is provided with a through-hole (9) at least one wall of which is covered with a conductive layer (11), which is connected to the drain (3), and which forms the connection conductor (11) of the drain (3) and which is connected to the connection region (12) for the drain (3) situated on top of the semiconductor body (10). In this way, the transistor (T) is very well suited for surface mounting and is also very easy to manufacture. The through-hole (9) can be made by means of a cheap technique, such as laser cutting or sandblasting. Moreover, the transistor (T) is insensitive to the thickness of the channel region (2), which, in addition, may be comparatively thick. This simplifies the manufacture thereof and renders the transistor (T) suitable for both high power and high voltage applications. An additional advantage is that the transistor (T) can be manufactured without using a comparatively expensive epitaxial process.
(FR) Cette invention a trait à un transistor à effet de champ (T) du type quasi vertical, ce qui signifie que dans le corps semi-conducteur (10) du transistor (T), une source (1) et un drain (3) sont positionnés (approximativement) l'un au-dessus de l'autre et sont séparés par la zone canal (2) qui est reliée à une zone de grille (4), chacune de ces zones étant connectée à un conducteur de connexion (6, 7, 11) joignant une zone de connexion (7, 8, 12). Les zones de connexion (7, 8) de la source (1) et de la grille (4) se trouvent au niveau de la partie supérieure du corps semi-conducteur (10). Dans ce corps semi-conducteur (10) est ménagé un trou traversant (9) dont au moins une paroi est recouverte d'une couche conductrice (11) connectée au drain (3), qui constitue le conducteur de connexion (11) du drain (3) et qui est connectée à la zone de connexion (12) du drain (3) située au niveau de la partie supérieure du corps semi-conducteur (10). Le transistor (T), qui se prête, de la sorte, fort bien à un montage en surface, est également facile à produire. Il est possible de former le trou traversant (9) grâce à une technique peu coûteuse, telle qu'une découpe au laser ou par jet de sable. Ce transistor (T) ne dépend pas, de surcroît, de l'épaisseur de la zone canal (2) qui, de plus, peut être relativement épaisse. Ceci en simplifie la fabrication et fait que le transistor (T) convient tant à des applications haute puissance qu'à des applications haute tension. Un autre avantage réside dans le fait qu'il est possible de fabriquer ce transistor (T) sans recourir à un procédé épitaxial relativement coûteux.
Designated States: JP
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)