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1. (WO2001035452) PRODUCTION METHOD FOR SILICON EPITAXIAL WAFER AND SILICON EPITAXIAL WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/035452    International Application No.:    PCT/JP2000/007833
Publication Date: 17.05.2001 International Filing Date: 08.11.2000
IPC:
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/74 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
EBARA, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OSE, Hiroki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KASAHARA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: EBARA, Koji; (JP).
OSE, Hiroki; (JP).
KASAHARA, Yasuo; (JP)
Agent: SUGAWARA, Seirin; Sakae Yamakichi Bldg., 9-30, Sakae 2-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 460-0008 (JP)
Priority Data:
11-319970 10.11.1999 JP
Title (EN) PRODUCTION METHOD FOR SILICON EPITAXIAL WAFER AND SILICON EPITAXIAL WAFER
(FR) PLAQUETTE EPITAXIEE DE SILICIUM ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)A production method for an epitaxial wafer having buried ion implantation layers (71', 72'), as a result of effectively preventing the occurrence of surface roughness on ion implantation layers (71, 72) even without a pre-implantation oxidizing treatment by conducting a heat treatment for crystal recovery after ion implantation in a hydrogen atmosphere, wherein ion implantation is implemented with a pre-implantation oxidizing treatment omitted and therefore with a photoresist film only used as a mask (64). Elimination of a positive oxidizing film forming onto an epitaxial layer (3) including a pre-implantation oxidizing can reduce the number of heat histories applied to the buried ion implantation layers (71', 72') to effectively prevent a lateral diffusion. In addition, elimination of the forming/removal of an oxidizing film can dramatically reduce the number of processes for producing an epitaxial wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une plaquette épitaxiée comprenant des couches d'implantation ionique enterrées (71', 72'). Ce procédé permet d'empêcher efficacement l'apparition d'une rugosité de surface sur des couches d'implantation ionique (71, 72), même sans traitement oxydant de pré-implantation, par réalisation d'un traitement thermique destiné à une récupération de cristaux après une implantation ionique dans une atmosphère d'hydrogène, cette implantation ionique s'effectuant sans traitement oxydant de pré-implantation et, donc, avec un film de résine photosensible utilisé exclusivement comme masque (64). L'élimination de la formation d'un film oxydant positif sur une couche épitaxiale (3) impliquant une oxydation de pré-implantation peut réduire le nombre d'historiques thermiques appliqués à ces couches d'implantation ionique enterrées (71', 72') de façon à empêcher efficacement une diffusion latérale. Par ailleurs, l'élimination de la formation/suppression d'un film oxydant permet de réduire considérablement le nombre d'opérations nécessaires à la production d'une plaquette épitaxiée.
Designated States: KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)