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1. (WO2001035113) OFFSET-REDUCED HALL ELEMENT
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Pub. No.: WO/2001/035113 International Application No.: PCT/EP2000/008091
Publication Date: 17.05.2001 International Filing Date: 18.08.2000
Chapter 2 Demand Filed: 14.05.2001
IPC:
G01R 33/07 (2006.01)
G PHYSICS
01
MEASURING; TESTING
R
MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33
Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02
Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06
using galvano-magnetic devices
07
Hall-effect devices
Applicants:
HOHE, Hans-Peter [DE/DE]; DE (UsOnly)
SAUERER, Josef [DE/DE]; DE (UsOnly)
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Leonrodstrasse 54 D-80636 München, DE
Inventors:
HOHE, Hans-Peter; DE
SAUERER, Josef; DE
Agent:
SCHOPPE, Fritz ; Schoppe, Zimmermann & Stöckeler Postfach 71 08 67 D-81458 München, DE
Priority Data:
199 54 360.711.11.1999DE
Title (EN) OFFSET-REDUCED HALL ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT À EFFET HALL RÉDUIT PAR DÉCALAGE
(DE) OFFSET-REDUZIERTES HALL-ELEMENT
Abstract:
(EN) The invention relates to a hall element with a region (100) that has a non-zero Hall constant, a first contact (K1) for supplying an operating current (I) to said region, a third contact (K3) for conducting the operating current (I) away from said region, said first and said third contact defining a direction of the operating current within said region. The Hall element further comprises a second (K2) and a fourth contact (K4) for tapping a Hall voltage and a conductor structure (10) that is connected to the first contact or to the third contact and that substantially surrounds said region laterally or that is located above or below said region. The conductor structure has the effect that the self- field of the operating current is suppressed by the Hall element outside the Hall element in such a manner that the Hall element at least reduces the offset in the adjoining Hall elements. Due to the design of the conductor structure the effects of the current return on the Hall voltage produced by the Hall element itself are also at least reduced.
(FR) L'invention concerne un élément à effet Hall comprenant une zone (100) présentant une constante de Hall différente de zéro, un premier contact (K1) servant à acheminer un courant de service (I) jusqu'à la zone, un troisième contact (K3) pour évacuer le courant de service (I) de ladite zone, le premier et le troisième contact définissant un sens de courant de service dans la zone, ainsi qu'un deuxième (K2) et un quatrième contact (K4) pour prélever une tension à effet Hall et une structure conductrice (10) qui est connectée au premier contact ou au troisième contact et entoure sensiblement la zone latéralement ou se situe au-dessus ou en dessous de ladite zone. La structure conductrice fait que d'une part le champ propre du courant de service est supprimé par l'élément à effet Hall en dehors dudit élément à effet Hall, de manière que ledit élément à effet Hall induise au moins un décalage réduit dans les éléments à effet Hall adjacents. La configuration de la structure conductrice fait en outre que les effets de la réaction d'intensité sur la tension à effet Hall produite même par l'élément à effet Hall se trouvent également au moins réduits.
(DE) Ein Hall-Element umfaßt einen Bereich (100), der eine Hall-Konstante ungleich Null hat, einen ersten Kontakt (K1) zum Zuführen eines Betriebsstroms (I) zu dem Bereich, einen dritten Kontakt (K3) zum Abfßhren des Betriebsstroms (I) von dem Bereich, wobei der erste und der dritte Kontakt eine Betriebsstromrichtung in dem Bereich definieren, einen zweiten (K2) und einen vierten Kontakt (K4) zum Abgreifen einer Hall-Spannung und eine Leiterstruktur (10), die mit dem ersten Kontakt oder dem dritten Kontakt verbunden ist und den Bereich seitlich im wesentlichen umgibt oder oberhalb oder unterhalb des Bereichs angeordnet ist. Die Leiterstruktur bewirkt, daß einerseits das Eigenfeld des Betriebsstroms durch das Hall-Element außerhalb des Hall-Elements unterdrückt wird, derart, daß das Hall-Element in benachbarten Hall-Elementen zumindest einen reduzierten Offset bewirkt. Darüber hinaus bewirkt die Anordnung der Leiterstruktur, daß Auswirkungen derüStromrückf hrung auf die von dem Hall-Element selbst erzeugte Hall-Spannung ebenfalls zumindest reduziert sind.
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Designated States: CA, JP, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)