Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2001033677) LONG WAVELENGTH PSEUDOMORPHIC InGaNPAsSb TYPE-I AND TYPE-II ACTIVE LAYERS FOR THE GAAS MATERIAL SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/033677 International Application No.: PCT/US2000/041775
Publication Date: 10.05.2001 International Filing Date: 01.11.2000
Chapter 2 Demand Filed: 01.05.2001
IPC:
H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01) ,H01S 5/34 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
10
Construction or shape of the optical resonator
18
Surface-emitting lasers (SE-lasers)
183
having a vertical cavity (VCSE-lasers)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32
comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- hetero-structures
323
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34
comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers (SQW-lasers), multiple quantum well lasers (MQW-lasers), graded index separate confinement heterostructure lasers (GRINSCH-lasers)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
S
DEVICES USING STIMULATED EMISSION
5
Semiconductor lasers
30
Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34
comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers (SQW-lasers), multiple quantum well lasers (MQW-lasers), graded index separate confinement heterostructure lasers (GRINSCH-lasers)
343
in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser
Applicants:
JOHNSON, Shane [CA/US]; US (UsOnly)
DOWD, Philip [GB/SG]; SG (UsOnly)
BRAUN, Wolfgang [DE/DE]; DE (UsOnly)
ZHANG, Yong-Hang [CN/US]; US (UsOnly)
GUO, Chang-Zhi [CN/CN]; CN (UsOnly)
ARIZONA BOARD OF REGENTS [US/US]; Arizona State University Tempe, AZ 85287-6006, US (AllExceptUS)
Inventors:
JOHNSON, Shane; US
DOWD, Philip; SG
BRAUN, Wolfgang; DE
ZHANG, Yong-Hang; US
GUO, Chang-Zhi; CN
Agent:
SORELL, Louis, S. ; Baker & Botts LLP 30 Rockefeller Plaza New York, NY 10112-0228, US
Priority Data:
60/162,81301.11.1999US
Title (EN) LONG WAVELENGTH PSEUDOMORPHIC InGaNPAsSb TYPE-I AND TYPE-II ACTIVE LAYERS FOR THE GAAS MATERIAL SYSTEM
(FR) COUCHES ACTIVES DE TYPE I ET DE TYPE II, EN InGaNPAsSb, PSEUDOMORPHIQUES, A GRANDE LONGUEUR D'ONDE, DESTINEES A UN SYSTEME EN MATERIAU GAAS
Abstract:
(EN) The invention discloses improved structures of light-processing (e.g., light-emitting and light-absorbing/sensing) devices, in particular Vertical Cavity Surface Emitting Lasers (VCSELs), such as may find use in telecommunications applications. The disclosed VSCAL devices and production methods provide for an active region having a quantum well structure grown on GaAs-containing substrates, thus providing processing compatibility for light having wavelength in the range 1.0 to 1.6 $g(m)m. The active region structure combines strain-compensating barriers with different band alignments in the quantum wells to achieve a long emission wavelength while at the same time decreasing the strain in the structure. The improved functioning of the devices disclosed results from building them with multicomponent alloy layers having a large number of constituents. The invention discloses as a key constituent in the proposed alloy layers for the active region a substance, such as nitrogen (N), suitable for reducing bandgap energy (i.e., increasing light wavelength) associated with the layers, while at the same time lowering the lattice constant associated with the structure and hence lowering strain.
(FR) La présente invention concerne des structures et des techniques améliorées, permettant la formation de dispositifs de traitement de la lumière (par exemple, des dispositifs émetteurs de lumière et absorbeurs de lumière/de détection), notamment de lasers à cavité verticale et à émission par la surface (VCSEL), pouvant trouver des applications dans les télécommunications. Lesdits dispositifs VCSEL et lesdits procédés de production fournissent une région active présentant une structure de puits quantique croissant sur des substrats contenant du GaAs, assurant ainsi une compatibilité de traitement pour la lumière de longueur d'onde située entre 1,0 et 1,6 $g(m)m. La structure à région active combine des barrières de compensation de contrainte avec différents alignements de bande dans les puits quantiques, afin d'obtenir une grande longueur d'onde d'émission, tout en diminuant la contrainte dans la structure. L'amélioration apportée au fonctionnement desdits dispositifs résulte de leur construction avec des couches d'alliage à plusieurs composants, qui présentent un grand nombre de constituants. Chaque couche d'alliage peut être sélectionnée selon des préférences décrites, de façon que les constituants variés contribuent à la fois à la contrainte accumulée et à une longueur d'onde d'émission/d'absorption plus grande. Des couches barrière de minimisation de contrainte supplémentaires aident à compenser ou à améliorer en outre la contrainte globale de la structure, ce qui permet de réduire à un niveau optimum l'incidence de dislocation et d'autres anomalies qui altèrent l'efficacité et la durée de vie du dispositif. La présente invention concerne également un constituant clé, dans les couches d'alliage proposées, pour la région active d'une substance, tel que l'azote (N), conçu pour réduire l'énergie de bande interdite (c'est-à-dire augmenter la longueur d'onde de la lumière), associée aux couches, et simultanément réduire la constante de réseau associée à la structure et ainsi, réduire la contrainte.
front page image
Designated States: CN, JP, KR, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)