WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001033620) POLISHING COMPOUND FOR SEMICONDUCTOR CONTAINING PEPTIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/033620 International Application No.: PCT/JP2000/007725
Publication Date: 10.05.2001 International Filing Date: 02.11.2000
Chapter 2 Demand Filed: 21.03.2001
IPC:
C09G 1/02 (2006.01) ,C09K 3/14 (2006.01)
Applicants: SUNAHARA, Kazuo[JP/JP]; JP (UsOnly)
TSUGITA, Katsuyuki[JP/JP]; JP (UsOnly)
SHINMARU, Sachie[JP/JP]; JP (UsOnly)
SEIMI CHEMICAL CO., LTD.[JP/JP]; 3-2-10, Chigasaki Chigasaki-city, Kanagawa 253-8585, JP (AllExceptUS)
Inventors: SUNAHARA, Kazuo; JP
TSUGITA, Katsuyuki; JP
SHINMARU, Sachie; JP
Agent: SENMYO, Kenji ; Torimoto Kogyo Bldg. 38, Kanda-Higashimatsushitacho Chiyoda-ku, Tokyo 101-0042, JP
Priority Data:
11/31355304.11.1999JP
Title (EN) POLISHING COMPOUND FOR SEMICONDUCTOR CONTAINING PEPTIDE
(FR) COMPOSE A POLIR POUR SEMI-CONDUCTEUR CONTENANT UN PEPTIDE
Abstract: front page image
(EN) A polishing compound comprising polishing abrasive grain and peptide; a polishing compound slurry comprising an aqueous medium and the polishing compound suspended therein preferably together with an oxidizing agent and preferably at a pH of 7 or higher; a method of polishing a layer of a metal such as copper and/or a arrier layer which comprises polishing by the use of a polishing cloth of a CMP apparatus carrying the polishing compound slurry thereon. The polishing compound and the polishing method can be used in the CMP process in a semiconductor manufacturing process for polishing a metal layer and/or a barrier layer while suppressing the excess oxidation of the metal layer and for controlling polishing rate in accordance with the use of the resultant product.
(FR) L'invention concerne un composé à polir qui comprend un grain abrasif à polir et un peptide. Elle concerne également un composé à polir en suspension comprenant un milieu aqueux et ledit composé à polir associé, de préférence, à un oxydant et présentant, de préférence, un pH d'au moins 7. Elle concerne en outre une méthode de polissage d'une couche d'un métal, telle que le cuivre, et/ou d'une couche barrière au moyen d'un chiffon à polir d'un appareil à plasma micro-onde (CMP) sur lequel est déposé le composé à polir en suspension. Le composé à polir et la méthode de polissage peuvent être utilisés, au cours d'un processus de fabrication de semi-conducteur par CMP, pour polir une couche métallique et/ou une couche barrière tout en éliminant l'oxydation en excès de la couche métallique, et pour contrôler le taux de polissage conformément à l'utilisation du produit résultant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)