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1. (WO2001033617) SEMICONDUCTOR-MANUFACTURING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/033617 International Application No.: PCT/JP2000/007340
Publication Date: 10.05.2001 International Filing Date: 20.10.2000
Chapter 2 Demand Filed: 26.03.2001
IPC:
C23C 16/458 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/68 (2006.01) ,H01L 21/687 (2006.01)
Applicants: MAEDA, Yuji[JP/JP]; JP (UsOnly)
NAKANISHI, Koji[JP/JP]; JP (UsOnly)
TOKAI, Nobuo[JP/JP]; JP (UsOnly)
KAWAI, Ichiro[JP/JP]; JP (UsOnly)
APPLIED MATERIALS INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
Inventors: MAEDA, Yuji; JP
NAKANISHI, Koji; JP
TOKAI, Nobuo; JP
KAWAI, Ichiro; JP
Agent: HASEGAWA, Yoshiki ; Soei Patent and Law Firm, Okura-honkan 6-12, Ginza 2-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061, JP
Priority Data:
11/30954929.10.1999JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR-MANUFACTURING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN) A wafer (W) is held at a predetermined distance above a heating surface (52) by a wafer support (54) in a wafer support area (50) on a susceptor (22). The heating surface (52) includes a raised area (58) where the distance to the wafer (W) is shorter. The heating condition for the wafer (W) by the susceptor (22) is controlled depending on the distance from different portions of the support area (50), thus improving the uniformity of the temperature distribution on the wafer (W) and the uniformity of the thickness of film deposition on the wafer.
(FR) Selon l'invention, une plaquette (W) est maintenue à une distance prédéterminée au-dessus d'une surface (52) de chauffage par un porte-plaquette, dans une zone (50) de support de plaquette sur un suscepteur (22). La surface (52) de chauffage comprend une zone surélevée (58), au niveau de laquelle la distance séparant ladite surface de la plaquette (W) est réduite. Les conditions de chauffage de la plaquette (W) par le suscepteur (22) sont régulées en fonction de la distance par rapport à différentes parties de la zone (50) de support, ce qui permet d'améliorer l'uniformité de la répartition des températures sur la plaquette (W) ainsi que l'uniformité de l'épaisseur du film déposé sur la plaquette.
Designated States: KR, US
European Patent Office (EPO) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)