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1. (WO2001032958) MULTILAYER METAL COMPOSITE STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR CIRCUITRY AND METHOD OF MANUFACTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2001/032958 International Application No.: PCT/US2000/030027
Publication Date: 10.05.2001 International Filing Date: 31.10.2000
IPC:
C23F 1/02 (2006.01) ,C23F 1/36 (2006.01) ,C23F 1/44 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H05K 3/06 (2006.01) ,H05K 3/46 (2006.01)
Applicants: BMC INDUSTRIES, INC.[US/US]; Suite 850 One Meridian Crossing Minneapolis, MN 55423, US
Inventors: WHITEHURST, Donald, A.; US
WYATT, Paul, D.; US
RING, Charles; US
DUFRESNE, Michael, J.; US
BRENES, Jose, F.; US
FINGER, Bruce, A.; US
ZEIPELT, Dave; US
BORNING, Jeffrey, M.; US
MATTSON, Dennis, D.; US
Agent: LITMAN, Mark, A.; Mark A. Litman & Associates, P.A. Suite 205 York Business Center 3209 West 76th Street Edina, MN 55435, US
Priority Data:
09/431,44501.11.1999US
09/431,64901.11.1999US
09/432,47501.11.1999US
Title (EN) MULTILAYER METAL COMPOSITE STRUCTURES FOR SEMICONDUCTOR CIRCUITRY AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) ARTICLES COMPOSITES DE METAL ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN) A process for the etching of multiple layers of at least two different metals comprises forming a resist pattern over a first layer of metal, applying a first etch solution onto said resist pattern so that at least some etch solution contacts exposed areas of the first layer of metal, applying a second etch solution onto the resist pattern the second etch solution having a rate of etch that is less than the rate of etch of the first etch solution, and applying a third etch solution to the etched first metal layer, the third etch solution having a faster rate of etch towards the second metal than towards the first metal to etch into said second metal layer. The use of hardenable (polymerizable, curable, dryable) polymeric material on the first and second etched metal layers provides significant advantages in use of the etched materials. The etching comprises in particular etching an electrical circuit design in a first metal layer of copper in electrical contact with a second metal layer of aluminium in electrical contact witth a third metal layer of copper. The etched surface comprising the circuit design of the first (or of the third) metal layer of copper is adhered to support layer to form a circuit board. Additionally, the etched surface of a second trimetal layer subelement may be adhered to a second surface of said support layer so as to form an article having multiple electrical circuits.
(FR) L'invention concerne un procédé destiné à l'attaque chimique de plusieurs couches d'au moins deux métaux différents. Ce procédé consiste à former un motif de résist sur une première couche de métal, à appliquer un premier produit d'attaque chimique sur ledit motif de résist de façon qu'une partie au moins de ce produit d'attaque vienne au contact de zones exposées de la première couche de métal, à appliquer un deuxième produit d'attaque sur le motif de résist, ce deuxième produit d'attaque présentant une vitesse d'attaque inférieure à la vitesse d'attaque du premier produit d'attaque, puis à appliquer un troisième produit d'attaque sur la première couche de métal attaquée, ledit troisième produit d'attaque présentant une vitesse d'attaque plus élevée sur le second métal que sur le premier métal à attaquer chimiquement dans ladite seconde couche de métal. L'utilisation d'une matière polymérique durcissable (polymérisable, séchable) sur lesdites première et seconde couches de métal soumises à une attaque chimique offre des avantages considérables lors de l'utilisation de ces matières attaquées par voie chimique.
Designated States: AU, CN, IL, JP
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)