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1. (WO2001032951) CHEMICAL FLUID DEPOSITION FOR THE FORMATION OF METAL AND METAL ALLOY FILMS ON PATTERNED AND UNPATTERNED SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/032951    International Application No.:    PCT/US2000/030264
Publication Date: 10.05.2001 International Filing Date: 02.11.2000
Chapter 2 Demand Filed:    05.06.2001    
IPC:
C23C 18/00 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITY OF MASSACHUSETTS [US/US]; One Beacon Street, 26th Floor, Boston, MA 02108 (US) (For All Designated States Except US).
WATKINS, James, J. [US/US]; (US) (For US Only).
BLACKBURN, James, M. [US/US]; (US) (For US Only).
LONG, David, P. [US/US]; (US) (For US Only).
LAZORCIK, Jason, L. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WATKINS, James, J.; (US).
BLACKBURN, James, M.; (US).
LONG, David, P.; (US).
LAZORCIK, Jason, L.; (US)
Agent: FASSE, J., Peter; Fish & Richardson P.C., 225 Franklin Street, Boston, MA 02110-2804 (US)
Priority Data:
60/163,163 02.11.1999 US
60/223,839 08.08.2000 US
Title (EN) CHEMICAL FLUID DEPOSITION FOR THE FORMATION OF METAL AND METAL ALLOY FILMS ON PATTERNED AND UNPATTERNED SUBSTRATES
(FR) DEPOT DE FLUIDE CHIMIQUE PERMETTANT LA FORMATION DE METAUX ET DE FILMS D'ALLIAGE DE METAUX SUR DES SUBSTRATS STRUCTURES ET NON STRUCTURES
Abstract: front page image
(EN)Methods are described for depositing a film or discontinuous layer of discrete clusters, of material (e.g, metals, metal mixtures or alloys, metal oxides, or semiconductors) on the surface of a substrate, e.g, a patterned silicon wafer, by i) dissolving a precursor of the material into a supercritical or near-supercritical solvent to form a supercritical or near-supercritical solution; ii) exposing the substrate to the solution, under conditions at which the precursor is stable in the solution; and iii) mixing a reaction reagent into the solution under conditions that initiate a chemical reaction involving the precursor, thereby depositing the material onto the solid substrate, while maintaining supercritical or near-supercritical conditions. The invention also includes similar methods for depositing material particles into porous solids, and films of materials on substrates or porous solids having material particles deposited in them. The invention also covers methods of preparing a plated substrate by depositing a catalytic layer followed by a plating layer.
(FR)L'invention concerne des procédés de dépôt d'un film ou d'une couche discontinue de clusters discrets, de matériaux (par exemple, des métaux, des mélanges ou des alliages de métaux, des oxydes métalliques ou des semi-conducteurs) sur la surface d'un substrat, par exemple, une plaquette structurée i) par dissolution d'un précurseur de matériau dans un solvant supercritique ou quasi supercritique pour former une solution supercritique ou quasi supercritique, ii) par exposition du substrat à une solution, dans des conditions où le précurseur est stable en solution, et iii) par mélange d'un réactif dans une solution dans des conditions qui amorce une réaction chimique impliquant le précurseur, déposant ainsi le matériau sur le substrat solide, tout en conservant les conditions supercritiques ou quasi supercritiques. L'invention concerne également des procédés similaires de dépôts de particules de matériau dans des solides poreux, ainsi que de films de matériaux sur des substrats ou des solides poreux présentant des particules de matériau. L'invention concerne enfin des procédés de préparation d'un substrat plaqué par dépôt d'une couche catalytique, puis d'une couche de placage.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)