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1. (WO2001031696) COMPOSITION FOR CHEMICAL PURIFICATION OF SURFACES OFF ADSORBED METAL IONS AND ATOMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/031696    International Application No.:    PCT/PL2000/000077
Publication Date: 03.05.2001 International Filing Date: 25.10.2000
Chapter 2 Demand Filed:    04.05.2001    
IPC:
C30B 33/00 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: BUGALSKI, Tadeusz [PL/PL]; (PL).
PANAJEVA, Svietlana [RU/RU]; (RU)
Inventors: BUGALSKI, Tadeusz; (PL).
PANAJEVA, Svietlana; (RU)
Priority Data:
P.336365 29.10.1999 PL
Title (EN) COMPOSITION FOR CHEMICAL PURIFICATION OF SURFACES OFF ADSORBED METAL IONS AND ATOMS
(FR) COMPOSITION DESTINEE A L'ELIMINATION CHIMIQUE DES IONS METALLIQUES ET ATOMES ADSORBES DES SURFACES
Abstract: front page image
(EN)The composition for chemical purification of surfaces off adsorbed metal ions and atoms is designed for chemical treatment in production technology where basic and auxiliary materials must meet strict requirements concerning purity, especially in case of chemical treatment of siliceous structures and AIII BV structures in semiconductor technology used before operations of epitaxial growth, oxidation, ion implementation, diffusion, annealing and application of thin metal or dielectric coats. According to the invention, the composition for chemical purification of surfaces off adsorbed metal ions and atoms consists of 0.1 - 20 units of weight of sulphomaleic anhydride, 0.1 - 50 units of weight of disulphomaleic anhydride, which is used in the composition as an activator of change of water molecule in cation hydration sheath during formation of chelate and water. It is most effective if used in the amount of 0.1 - 2 units of weight of the composition to purify siliceous plates before thermal process, and in the amount of 10 - 20units of weight of the composition to purify diffusive pipes.
(FR)La présente invention concerne une composition destinée à l'élimination chimique des ions métalliques et atomes adsorbés des surfaces, qui est conçue pour être utilisée dans les traitements chimiques de la technologie de production dans laquelle les matières de base et secondaires doivent répondre à des conditions strictes de pureté, en particulier dans le cas du traitement chimique des structures siliceuses et des structures AIII BV de la technologie des semiconducteurs précédant les opérations de croissance épitaxiale, d'oxydation, d'implantation ionique, de diffusion, de recuit et d'application de fines couches métalliques ou diélectriques. La composition de l'invention, qui est destinée à l'élimination chimique des ions métalliques et atomes adsorbés des surfaces, est composée de 0,1 à 20 unités de poids d'anhydride sulpho-maléique, de 0,1 à 50 unités de poids d'anhydride disulpho-maléique, lequel est utilisé dans la composition comme un agent activant le changement de la molécule d'eau en gaine d'hydratation cationique pendant la formation de chélate et d'eau. La composition de l'invention déploie la plus grande efficacité lorsqu'elle est utilisée en quantités de 0,1 à 2 unités en poids de la composition pour purifier les plaques siliceuses avant le traitement thermique, et en quantités de 10 à 20 unités en poids de la composition pour purifier les tuyauteries de diffusion.
Designated States: CA, IL, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)