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1. (WO2001031691) METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/031691    International Application No.:    PCT/US2000/025099
Publication Date: 03.05.2001 International Filing Date: 13.09.2000
IPC:
B08B 1/04 (2006.01), B08B 3/08 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: PHILIPS SEMICONDUCTORS, INC. [US/US]; 811 East Arques Avenue, Sunnyvale, CA 94088 (US) (MC only).
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoulseweg 1, NL-5621BA Eindhoven (NL) (AT, BE, CH, CN, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, NL, PT, SE only)
Inventors: WELING, Milind, Ganesh; (US).
ZHANG, Liming; (US)
Agent: GALLENSON, Mavis, S.; Ladas & Parry, 5670 Wilshire Boulevard, Suite 2100, Los Angeles, CA 90036-5679 (US)
Priority Data:
09/430,353 28.10.1999 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE NETTOYAGE DE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method utilizing gaseous form of chemical cleaning fluids in conjunction with post-CMP scrubbing, thereby enhancing the cleaning efficiency of the chemicals. An additional advantage is that usage of chemical fluids would also be reduced. According to an embodiment of the present invention, a vapor generator introduces vapors of chemical solutions (e.g., hydrofluoric acid) to a sealed brush station during various cleaning steps for varying extents of time. The vapors interact with contaminants or defects on the wafer surface. Since these defects offer preferential sites for reaction or condensation of the vapors, the vapors selectively interact with these defects and contaminants. Hence, the cleaning efficiency of the chemical is enhanced. Because the cleaning process is performed within a sealed brush station, it is also possible to conserve the amount of chemicals being used. In an alternate implementation, the chemical vapors can also be introduced together with deionized water, if keeping the wafer surface wet is a requirement. The use of chemicals in a gaseous form also offer advantages from a flow control standpoint because precise control of chemical reaction on the wafer surface can be easily achieved.
(FR)L'invention concerne un procédé utilisant la forme gazeuse de liquides de nettoyage chimiques conjointement avec un processus de lavage préalable par planarisation mécano-chimique; ce qui permet d'améliorer les performances de nettoyage des produits chimiques. Le procédé décrit dans l'invention permet également de réduire l'utilisation de liquides chimiques. Dans un mode de réalisation, un générateur de vapeur introduit des vapeurs de solutions chimiques (par exemple, de l'acide fluorhydrique) dans une station à balais étanche à diverses étapes du nettoyage, afin de modifier les laps de temps. Les vapeurs interagissent avec des contaminants ou des imperfections se trouvant sur la surface de la tranche. Ces imperfections représentant des sites optimaux pour la réaction ou la condensation des vapeurs, lesdites vapeurs interagissent de manière sélective avec ces imperfections ou avec ces contaminants. Ainsi, les performances de nettoyage des produits chimiques sont améliorées. Le nettoyage étant réalisé à l'intérieur d'une station à balais étanche, il est également possible de conserver la quantité de produits chimiques utilisée. Dans un autre mode de réalisation, les vapeurs chimiques peuvent également être introduites ensemble avec de l'eau désionisée, lorsqu'il est nécessaire que la surface de la tranche soit humide. L'utilisation de produits chimiques sous une forme gazeuse est également avantageuse depuis un site de régulation d'écoulement car on peut aisément réguler de façon précise une réaction chimique sur la surface de la tranche.
Designated States: CN, JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)