WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001031665) SILICON EQUIVALENT PTC CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/031665    International Application No.:    PCT/US2000/029218
Publication Date: 03.05.2001 International Filing Date: 23.10.2000
IPC:
H02H 5/04 (2006.01), H02H 7/18 (2006.01), H02J 7/00 (2006.01), H03K 17/08 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: OGLESBEE, John, W.; (US)
Agent: SCUTCH, Frank, M., III.; Motorola INC., Intellectual Property Dept., Rm 1610, 8000 West Sunrise Boulevard, Fort Lauderdale, FL 33322 (US)
Priority Data:
60/161,191 22.10.1999 US
Title (EN) SILICON EQUIVALENT PTC CIRCUIT
(FR) CIRCUIT A COEFFICIENT DE TEMPERATURE POSITIF SE COMPORTANT COMME UN CIRCUIT EQUIVALENT AU SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A series current regulator with an on-silicon temperature sensor (102) formed over current battery protection device (100). The protection device (100) regulates current in a pass element (101) linearly while sensing the junction temperature of the pass element (101). If the temperature of the pass element (101) reaches a predetermined threshold, the on-silicon temperature sensor (102) actuates a switch (104) which causes the pass element (101) to go into a high impedance mode. The protection device offers advantages over positive temperature coefficient (PTC) and further includes faster trip time and lower leakage current.
(FR)L'invention concerne un régulateur de courant série pourvu d'un capteur de température (102) au silicium formé sur un dispositif de protection (100) de batterie de courant. Ce dispositif de protection (100) régule linéairement un courant dans un élément de régulation (101), tout en captant la température de jonction dudit élément de régulation (101). Si la température de l'élément de régulation (101) atteint un seuil prédéterminé, le capteur de température (102) au silicium actionne un commutateur (104) qui fait passer l'élément de régulation (101) en mode impédance élevée. Ce dispositif de protection présente des avantages sur les dispositifs à coefficient de température positif (PTC), et présente en outre un délai de déclenchement plus rapide et un courant de fuite plus faible.
Designated States: BR, CN, JP, KR, MX.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)