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1. (WO2001031402) METHOD FOR THE PRODUCTION OF NANOMETER RANGE SURFACE DECORATED SUBSTRATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/031402    International Application No.:    PCT/EP2000/010607
Publication Date: 03.05.2001 International Filing Date: 27.10.2000
Chapter 2 Demand Filed:    28.05.2001    
IPC:
G03F 7/00 (2006.01)
Applicants: UNIVERSITÄT ULM [DE/DE]; Albert-Einstein-Allee 11, 89081 Ulm (DE) (For All Designated States Except US).
SPATZ, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MÖLLER, Martin [DE/DE]; (DE).
ZIEMANN, Paul [DE/DE]; (DE)
Inventors: SPATZ, Joachim; (DE).
MÖLLER, Martin; (DE).
ZIEMANN, Paul; (DE)
Agent: PERREY, Ralf; Müller-Boré & Partner, Grafinger Strasse 2, 81671 München (DE).
HOCK, Joachim; Müller-Boré & Partner, Grafinger Strasse 2, 81671 München (DE)
Priority Data:
199 52 018.6 28.10.1999 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON IM NANOMETERBEREICH OBERFLÄCHENDEKORIERTEN SUBSTRATEN
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF NANOMETER RANGE SURFACE DECORATED SUBSTRATES
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE DES SUBSTRATS DE L'ORDRE DU NANOMETRE, A SURFACES DECOREES
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von im Nanometerbereich oberflächendekorierten Substraten, insbesondere solcher, die darauf abgeschieden, aus anorganischen Nanoclustern aufgebaute, 1 bis 30 nm große Punkte bzw. 1 bis 30 nm breite Linien aufweisen. Das erfindungungsgemäße Verfahren beruht auf der Positionierung von polymeren Kern-Schale-Systemen, deren Kern Mit geeigneten anorganischen Ausgangsverbindungen beladen ist, in Vertiefungen einer durch lithographische Techniken strukturierten Photolackschicht und anschließender Entfernung des polymeren Kern-Schale-Systems durch Trockenätzung, Pyrolyse, Oxidation oder Reduktion. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung derartige im Nanometerbereich oberflächendekorierte Substrate.
(EN)The invention relates to a method for the production of nanometer range surface decorated substrates and in particular those which have lines consisting of 1-30 nm sized dots or 1-30 n wide lines deposited thereon made from inorganic clusters. The inventive method is based on the positioning of polymeric core-shell-systems, the cores of which are loaded with suitable inorganic raw material compounds in recesses having structured photolacquer layers produced by lithographic techniques. Subsequent removal of the polymeric core-shell-systems by dry etching, pyrolysis, oxidation or reduction is performed. The invention also relates to the aforementioned substrates which have nanometer range surface decorated surface structures.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire des substrats de l'ordre du nanomètre, à surfaces décorées, notamment des substrats qui présentent des points, de dimension comprise entre 1 et 30 nm, ou des lignes, de largeur comprise entre 1 et 30 nm, déposé(e)s sur lesdits substrats et constitué(e)s de nanoagrégats inorganiques. Ce procédé consiste à utiliser des systèmes polymères noyau-enveloppe, dont le noyau est chargé de composés de départ inorganiques appropriés, et à les positionner dans des évidements d'une couche de résine photosensible structurée au moyen de techniques lithographiques, puis à retirer lesdits systèmes polymères noyau-enveloppe par attaque à sec, pyrolyse, oxydation ou réduction. L'invention concerne en outre des substrats de l'ordre du nanomètre, à surfaces décorées, produits selon ledit procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)