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1. (WO2001031388) METHOD AND APPARATUS FOR OPTICALLY MODULATING AN OPTICAL BEAM WITH A MULTI-PASS WAVE-GUIDED OPTICAL MODULATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/031388    International Application No.:    PCT/US2000/041269
Publication Date: 03.05.2001 International Filing Date: 18.10.2000
Chapter 2 Demand Filed:    02.04.2001    
IPC:
G02F 1/015 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (For All Designated States Except US).
KOEHL, Sean, M. [US/US]; (US) (For US Only).
PANICCIA, Mario, J. [US/US]; (US) (For US Only).
NIKONOV, Dmitri [RU/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KOEHL, Sean, M.; (US).
PANICCIA, Mario, J.; (US).
NIKONOV, Dmitri; (US)
Agent: MALLIE, Michael, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 7th floor, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
09/435,058 25.10.1999 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS FOR OPTICALLY MODULATING AN OPTICAL BEAM WITH A MULTI-PASS WAVE-GUIDED OPTICAL MODULATOR
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF SERVANT A MODULER UN FAISCEAU OPTIQUE AU MOYEN D'UN MODULATEUR OPTIQUE POSSEDANT UN GUIDE D'ONDE MULTIPASSE
Abstract: front page image
(EN)An optical modulator (101) that modulates light through the semiconductor substrate (103) through the back side of an integrated circuit die (103). In one embodiment, an optical modulator is disposed within a flip chip packaged integrated circuit die (103). The optical modulator includes a modulation region (115) through which an optical beam is passed a plurality of times. In one embodiment, the optical beam (111) enters through the back side of the semiconductor substrate at a first location (123) and the modulated optical beam (127) is deflected out through a second location (125) on the back side of the semiconductor substrate (103). The interaction length of the optical modulator is increased by internally deflecting and passing the optical beam through the modulation region a plurality of times. In one embodiment, total internal reflection is used to deflect the optical beam. In another embodiment, reflective materials (233) are used to internally deflect the optical beam. In one embodiment, the modulation region is provided with a charged region formed with a p-n junction (115, 215). In another embodiment, the charged region is provided using metal-oxide-semiconductor type structures (315, 415).
(FR)Modulateur optique (101) modulant la lumière traversant le substrat à semi-conducteur (103) à travers le côté arrière d'une puce de circuit intégré (103). Dans un mode de réalisation, un modulateur optique est placé à l'intérieur d'une puce de circuit intégré (103) du type puce à protubérances. Ce modulateur optique comporte une zone de modulation (115) à travers laquelle on fait passer un faisceau optique une pluralité de fois. Dans un autre mode de réalisation, le faisceau optique (111) pénètre à travers le côté arrière du substrat au niveau d'un premier emplacement (123) et le faisceau optique modulé (127) est défléchi vers l'extérieur à travers un deuxième emplacement (125) situé sur le côté arrière du substrat (103). La longueur interactive du modulateur optique est augmentée par la déflexion intérieure et le passage du faisceau optique à travers la zone de modulation une pluralité de fois. Dans encore un autre mode de réalisation, on utilise la réflexion totale interne afin de défléchir le faisceau optique. Dans un autre mode de réalisation, on utilise des matériaux réfléchissants (233), de manière à défléchir le faisceau optique de façon interne. Dans un mode de réalisation, la zone de modulation est pourvue d'une zone chargée comportant une jonction p-n (115, 215). Dans un autre mode de réalisation, cette zone chargée est constituée par des structures de type métal-oxyde- semi-conducteur (315, 415).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)