WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2001029891) CONFORMAL LINING LAYERS FOR DAMASCENE METALLIZATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/029891    International Application No.:    PCT/US2000/023213
Publication Date: 26.04.2001 International Filing Date: 24.08.2000
Chapter 2 Demand Filed:    15.05.2001    
IPC:
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), C23C 16/08 (2006.01), C23C 16/32 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Applicants: ASM AMERICA, INC. [US/US]; 3440 University Drive, Phoenix, AZ 85034-7200 (US)
Inventors: RAAIJMAKERS, Ivo; (NL).
HAUKKA, Suvi, P.; (FI).
GRANNEMAN, Ernst, H., A.; (NL).
SAANILA, Ville, Antero; (FI).
SOININEN, Pekka, Juha; (FI).
ELERS, Kai-Erik; (FI)
Agent: DELANEY, Karoline, A.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP, 620 Newport Center Drive, 16th Floor, Newport Beach, CA 92660 (US).
ALTMAN, Daniel, E.; Knobbe, Martens, Olson & Bear, LLP, 16th floor, 620 Newport Center, Newport Beach, CA 92660 (US)
Priority Data:
60/159,799 15.10.1999 US
60/176,944 18.01.2000 US
Title (EN) CONFORMAL LINING LAYERS FOR DAMASCENE METALLIZATION
(FR) COUCHES DE GARNISSAGE, A CARACTERISTIQUES UNIFORMES, DESTINEES A UNE METALLISATION DE DAMASQUINAGE
Abstract: front page image
(EN)Method and structures are provided for conformal lining of dual damascene structures in integrated circuits. Trenches (60) and contact vias (62) are formed (100) in insulating layers (60, 56). The trenches (60) and vias (62) are exposed to alternating chemistries to form monolayers of a desired lining material (150). Exemplary process flows include alternately pulsed metal halide (104) and ammonia gases (108) injected into a constant carrier flow. Self-terminated metal layers are thus reacted with nitrogen. Near perfect step coverage allows minimal thickness for a diffusion barrier function, thereby maximizing the volume of a subsequent filling metal (160) for any given trench and via dimensions.
(FR)La présente invention concerne un procédé et des structures destinés à un garnissage, à caractéristiques uniformes, de structures de double damasquinage dans des circuits intégrés. Des gorges (60) et des trous de contact (62) sont formés (100) dans des couches isolantes (60, 56). Les gorges (60) et les trous (62) sont exposés à des chimies alternées afin de former des monocouches de matériau de garnissage recherché (150). A titre d'exemple, des flux de procédé sont composés de l'écoulement d'un support constant dans lequel on injecte alternativement des impulsions gazeuses d'halogénure métallique (104) et d'ammoniac (108). Les couches métalliques terminées par auto-limitation sont ainsi mises à réagir avec de l'azote. Une couverture par étapes, presque parfaite, permet d'obtenir une épaisseur minimale pour une fonction de barrière de diffusion, ce qui maximise le volume restant pour un remplissage métallique subséquent (160) pour toutes dimensions données de gorge ou de trou d'interconnexion.
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)