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1. (WO2001029886) METHOD FOR CREATING A LAYER DURING THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2001/029886    International Application No.:    PCT/DE2000/003556
Publication Date: 26.04.2001 International Filing Date: 06.10.2000
Chapter 2 Demand Filed:    20.04.2001    
IPC:
B05D 7/24 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
WEINRICH, Volker [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VEITH, Sebastian [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: WEINRICH, Volker; (DE).
VEITH, Sebastian; (DE)
Agent: LANGE, Thomas; Dingolfinger Strasse 6, 81673 München (DE)
Priority Data:
199 50 565.9 20.10.1999 DE
Title (DE) SCHICHTERZEUGUNGSVERFAHREN BEI DER HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS UND HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR CREATING A LAYER DURING THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT AND A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCEDE DE CREATION D'UNE COUCHE LORS DE LA FABRICATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEURS ET COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(DE)Bei einem zur Herstellung eines auf einem Halbleitersubstrat realisierten Halbleiterbauelements eingesetzten Schichterzeugungsverfahren wird mittels Plasma-Polymerisation ein Fluorkohlenwasserstoff-Polymerisat-Film über dem Halbleitersubstrat erzeugt. Bei der Filmerzeugung wird die Temperatur des Halbleitersubstrats auf einen Wert kleiner oder gleich 120°C eingestellt. Das eingesetzte Prozessgasgemisch enthält ein fluoriertes Kohlenwasserstoffgas.
(EN)The invention relates to a method for creating a layer used in the production of a semiconductor component implemented on a semiconductor substrate. According to said method, a fluorohydrocarbon-polymer film is grown over the semiconductor substrate using plasma polymerisation. During the creation of the film, the temperature of the semiconductor substrate is set to a value less than or equal to 120 °C. The process gas mixture which is used contains a fluorinated hydrocarbon gas.
(FR)L'invention concerne un procédé de création d'une couche mis en oeuvre lors de la fabrication d'un composant à semi-conducteurs réalisé sur un substrat à semi-conducteurs. Selon ce procédé, on crée une couche de polymérisat d'hydrocarbure fluoré sur un substrat à semi-conducteurs au moyen d'une polymérisation plasma. Lors de la création de la couche, la température du substrat à semi-conducteurs est réglée à une valeur inférieure ou égale à 120 °C. Le mélange gazeux du processus utilisé contient un gaz d'hydrocarbure fluoré.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)